[发明专利]发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 201010272003.2 申请日: 2010-09-08
公开(公告)号: CN102403441A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 洪梓健;沈佳辉 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括发光二极管晶粒、封装体及基座,该发光二极管晶粒固定于该基座上,该封装体包覆该发光二极管晶粒,其特征在于:该发光二极管晶粒与该基座之间设置一导热衬底,该导热衬底包括相对设置的第一表面及第二表面,发光二极管晶粒贴附于导热衬底的第一表面上,发光二极管晶粒与导热衬底贴合处为接触面,导热衬底的第一表面的面积大于发光二极管晶粒的接触面的面积,导热衬底的第二表面固定在基座上。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该导热衬底的第一表面的面积不小于发光二极管晶粒的接触面的面积的两倍。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该导热衬底的材料为陶瓷。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该导热衬底与该发光二极管晶粒的结合方法选自金属结合、溶胶凝胶方法或者涂布方法其中一种。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该导热衬底的材料为硅,该导热衬底与该发光二极管晶粒采用金属接合方法结合在一起。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该导热衬底的材料为金属。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该导热衬底与该发光二极管晶粒的结合方法选自蒸镀、电镀、化学镀或者金属接合其中一种。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该基座内凹形成一收容孔,基座于收容孔的外围形成一内壁面,基座于收容孔的底部形成一底面,发光二极管晶粒与导热衬底一并收容于基座的收容孔内,导热衬底固定在基座的底面上,该封装体填充于该收容孔内且包覆发光二极管晶粒及导热衬底。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于:基座的内壁面自上表面向底面方向并沿径向向内倾斜。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:导热衬底与基座之间通过固晶胶或者银胶固定。

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