[发明专利]掩膜版制作方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种掩膜版制作方法及系统。

背景技术

随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。在0.13um以下技术节点的关键层次中，如TO(有源区层次)、GT(栅氧层次)以及An(金属连线层次)等关键层次的CD(关键尺寸)越来越小，某些关键层次的CD已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长248nm，因此在光刻中的曝光过程中，由于光的干涉和衍射现象，实际产品晶片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。

现有技术中为了消除上述误差，通常使用OPC(光学邻近效应矫正)方法对设计图进行一定的修正。现有的采用OPC方法对设计图形数据进行处理的过程如图1所示，包括以下步骤：

步骤S101：确定光刻工艺条件，并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；

步骤S102：根据所述OPC数据创建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

步骤S103：提供设计图形数据，根据所述OPC程序，对所述设计图形数据进行OPC运算；

步骤S104：验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤S102，如果是，进入步骤S105；

步骤S105：按照所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。

将原始设计图形数据经过上述OPC方法处理后制作的掩膜版，可以消除光刻过程中因光的干涉和衍射而产生的光刻图形与掩膜版图形之间的变形和偏差，但是，在生产实际过程中，随着设计图的越来越复杂，采用传统的OPC方法对设计图进行多次修正之后，经过仿真运算得出的CD与产品的目标CD仍然相差很大，不能满足实际生产的需要。

发明人研究发现，上述出现问题的设计图中往往都存在很多不符合设计规则的图形，对于这些不符合设计规则的图形，采用传统的OPC方法进行修正时，OPC的修正量不能完全补偿设计的不足，进而影响OPC修正的准确度。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜版制作方法及系统，可使经OPC修正后的设计图形数据的CD与目标CD的误差在生产允许的范围内，以满足实际生产的需要。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种掩膜版制作方法，包括：

a)确定光刻工艺条件，并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；

b)根据所述OPC数据创建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

c)提供设计图形数据，按照设计规则对所述设计图形数据进行预处理，将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据；

d)根据所述OPC程序，对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算；

e)验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤b)，如果是，按照所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。

优选的，所述预处理过程包括：

当所述设计图形数据中的凸出部分的尺寸与所述目标CD的差值大于预设阈值时，清除所述凸出部分。

优选的，所述预处理过程包括：

当所述设计图形数据中的缺口部分的尺寸与所述目标CD的差值大于预设阈值时，填补所述缺口部分。

优选的，所述预处理后的设计图形数据满足产品制造工艺要求和电学特性要求。

优选的，所述验证的过程包括：

对所述OPC运算后的图形数据进行仿真，得出所述OPC运算后的图形数据的CD；

将所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD进行比较，得出二者间的差值；

判断所述差值是否在误差允许的范围内。

本发明实施例还公开了一种掩膜版制作系统，包括：

程序创建单元，用于根据确定的光刻工艺条件，收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据，并根据所述OPC数据创建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；

处理单元，用于按照设计规则对设计图形数据进行预处理，将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据；

运算单元，用于根据所述OPC程序，对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算；

验证单元，用于验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内；