[发明专利]掩膜版制作方法及系统无效
| 申请号: | 201010268664.8 | 申请日: | 2010-09-01 |
| 公开(公告)号: | CN102385242A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
| 发明(设计)人: | 黄旭鑫;王谨恒;张雷;陈洁 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
| 地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掩膜版 制作方法 系统 | ||
1.一种掩膜版制作方法,其特征在于,包括:
a)确定光刻工艺条件,并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据;
b)根据所述OPC数据创建OPC模型,由所述OPC模型建立OPC程序;
c)提供设计图形数据,按照设计规则对所述设计图形数据进行预处理,将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据;
d)根据所述OPC程序,对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算;
e)验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内,如果否,返回步骤b),如果是,按照所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预处理过程包括:
当所述设计图形数据中的凸出部分的尺寸与所述目标CD的差值大于预设阈值时,清除所述凸出部分。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预处理过程包括:
当所述设计图形数据中的缺口部分的尺寸与所述目标CD的差值大于预设阈值时,填补所述缺口部分。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述预处理后的设计图形数据满足产品制造工艺要求和电学特性要求。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述验证的过程包括:
对所述OPC运算后的图形数据进行仿真,得出所述OPC运算后的图形数据的CD;
将所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD进行比较,得出二者间的差值;
判断所述差值是否在误差允许的范围内。
6.一种掩膜版制作系统,其特征在于,包括:
程序创建单元,用于根据确定的光刻工艺条件,收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据,并根据所述OPC数据创建OPC模型,由所述OPC模型建立OPC程序;
处理单元,用于按照设计规则对设计图形数据进行预处理,将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据;
运算单元,用于根据所述OPC程序,对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算;
验证单元,用于验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内;
制版单元,用于当所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值在误差允许范围内时,按照所述OPC运算后的图形制作掩膜版。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述处理单元包括:
比较单元,用于将所述设计图形数据中的凸出部分的尺寸以及缺口部分的尺寸与所述目标CD进行比较,得出所述凸出部分的尺寸与所述目标CD的差值,以及所述缺口部分的尺寸与所述目标CD的差值;
第一判断单元,用于判断所述设计图形数据中凸出部分的尺寸与所述目标CD的差值,以及所述缺口部分的尺寸与所述目标CD的差值是否大于预设阈值;
修正单元,用于当所述设计图形数据中的凸出部分的尺寸与所述目标CD的差值大于预设阈值时,清除所述凸出部分,且当所述设计图形中的缺口部分的尺寸与所述目标CD的差值大于预设阈值时,填补所述缺口部分。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述验证单元包括:
仿真单元,用于对所述OPC运算后的图形数据进行仿真,得出所述OPC运算后的图形数据的CD;
计算单元,用于将所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD进行比较,得出二者间的差值;
第二判断单元,用于判断所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD差值是否在误差允许的范围内。
9.根据权利要求6-8任一项所述的装置,其特征在于,还包括:存储单元,用于存储所述目标CD的值、所述预设阈值和所述误差范围中的至少一种。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





