[发明专利]鳍式场效应晶体管的掺杂方法无效
| 申请号： | 201010263807.6 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102237278A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;黄玉莲;余德伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 掺杂 方法 | ||
1.一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：
提供一基板，该基板包括一半导体鳍板形成于该基板的一表面上，其中该半导体鳍板具有一顶表面及侧壁；
沉积一包括掺质的富掺质层于该半导体鳍板的该顶表面及侧壁上；
沉积一盖层在该富掺质层上；以及
该基板回火以将该掺质由该富掺质层趋入该半导体鳍板中。
2.如权利要求1所述的方法，其中该富掺质层主要以掺质组成。
3.如权利要求1所述的方法，其中该掺质包括硼、铟、磷或砷。
4.如权利要求1所述的方法，其中在该回火在该半导体鳍板中形成一轻掺杂源极/漏极区。
5.如权利要求1所述的方法，其中该盖层的厚度介于约30埃至约300埃之间。
6.如权利要求1所述的方法，其中在温度低于约300℃下沉积该盖层。
7.如权利要求1所述的方法，其中该盖层包括氧化硅、氮化硅或碳化硅。
8.一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：
形成一硬掩模覆盖一基板的一第一半导体鳍板而露出该基板的一第二半导体鳍板；
沉积一包括掺质富掺质层在该第二半导体鳍板的一顶表面及侧壁上；
沉积一盖层以覆盖该富掺质层；以及
进行一回火工艺以将该掺质由该富掺质层趋入该第二半导体鳍板中。
9.如权利要求8所述的方法，其中该盖层的厚度介于约30埃至约300埃之间。
10.如权利要求8所述的方法，更包括：
形成另外一硬掩模覆盖该第二半导体鳍板而露出该第一半导体鳍板；
沉积包含另一掺质的另一富掺质层在该第一半导体鳍板的该顶表面及该侧壁上，其中该另一掺质及在该第二半导体鳍板的该掺质为相反类型；
沉积另外一盖层以覆盖该另外富掺质层；以及
进行另一回火工艺以将该另一的掺质趋入该第一半导体鳍板中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
