[发明专利]半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其特征在于，该粘合片用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆，其中，

中间层及粘合剂层以该顺序配置在基材层的单面，

所述粘合剂层利用辐射线固化型粘合剂以厚度1～50μm而形成，且断裂应力为0.5～10MPa，

所述中间层以厚度10～500μm而形成，弹性模量为0.01～3MPa。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆保持保护用粘合片，其中，基材的弹性模量为10～10000kPa。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆保持保护用粘合片，其中，粘合剂层在粘贴工序时具有1.0～20N/20mm的粘合力。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶圆保持保护用粘合片，其中，粘合剂层含有丙烯酸系聚合物作为构成材料。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶圆保持保护用粘合片，其中，粘合剂层含有分子内具有碳-碳双键的辐射线固化型的丙烯酸系聚合物。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体晶圆保持保护用粘合片，其中，粘合剂层为分子内含有辐射线固化型低聚物的辐射线固化型粘合剂层。

7.一种半导体晶圆的背面磨削方法，其特征在于，该半导体晶圆的背面磨削方法在将权利要求1～6中任一项所述的半导体晶圆保持保护用粘合片的粘合剂层粘贴于布有电路图案的一侧的半导体晶圆表面的状态下，对半导体晶圆的背面进行磨削加工，其中，

电路图案具备高出所述半导体晶圆表面15μm以上的凹凸。