[发明专利]一种印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法有效
| 申请号： | 201010247431.X | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101906302A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张军;高峰;韩家兴;李群;李倩;孙秀峰;郑金成;李昕;包丽茹 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;A61B5/117 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010021 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 印痕 显现 提取 半导体 量子 荧光 试剂 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型液体型印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法，其特征是：以Te粉和Cd(ClO4)2·6H2O为原料，制备以水溶性半导体CdTe量子点为核，表面由巯基乙酸与水合联氨改性修饰、具有正电性的高效液体型印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂。
2.根据权利要求1所述一种新型液体型印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法，其特征是：在制备水溶性半导体CdTe量子点过程中，利用巯基乙酸与水合联氨对半导体CdTe量子点进行表面修饰和表面荷电特性改造，形成具有CdTe/NH3+结构形式、且表面带有正电性的高效液体型半导体CdTe量子点荧光试剂。
3.根据权利要求1所述一种新型液体型印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法，其特征是：Cd(ClO4)2·6H2O与水合联氨、NaHTe的质量比是1∶4.189-10.472∶0.0723-1.808。
4.根据权利要求3所述一种新型液体型印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法，其特征是：Cd(ClO4)2·6H2O与水合联氨、NaHTe的质量比是1∶6.283∶0.724。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古大学，未经内蒙古大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010247431.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种流媒体采集编码服务系统
- 下一篇：一种纳米多功能外墙保温涂料
