[发明专利]一种桥式驱动电路芯片

权利要求书

1.一种桥式驱动电路芯片，包括引线框架，所述的引线框架具有一个封装面，所述的封装面上设置有多个引出脚，其特征在于所述的封装面上还设置有三个相互隔离且相互绝缘的基岛，三个所述的基岛与各个所述的引出脚互不相连，三个所述的基岛各自均具有至少一个连接脚，各个所述的连接脚相互独立，任一个所述的基岛的任一个所述的连接脚与至少一个所述的引出脚相连接，第一个所述的基岛上设置有低压侧驱动控制电路芯片和电平转移电路芯片，第二个所述的基岛上设置有第一功率器件，第三个所述的基岛上设置有高压侧驱动控制电路芯片和第二功率器件，所述的低压侧驱动控制电路芯片的高压侧控制信号输出引脚通过金属导线与所述的电平转移电路芯片的信号输入引脚相连接，所述的电平转移电路芯片的信号输出引脚通过金属导线与所述的高压侧驱动控制电路芯片的高压侧控制信号输入引脚相连接，所述的高压侧驱动控制电路芯片的高压侧驱动信号输出引脚通过金属导线与所述的第一功率器件的信号控制端口相连接，所述的低压侧驱动控制电路芯片的低压侧驱动信号输出引脚通过金属导线与所述的第二功率器件的信号控制端口相连接，所述的第一功率器件的电流输入端口与第二个所述的基岛的一个所述的连接脚相连接，所述的第一功率器件的电流输出端口通过金属导线与所述的第二功率器件的电流输入端口相连接，所述的第二功率器件的电流输入端口与第三个所述的基岛的一个所述的连接脚相连接，所述的第二功率器件的电流输出端口通过金属导线与一个所述的引出脚相连接。

2.根据权利要求1所述的一种桥式驱动电路芯片，其特征在于所述的电平转移电路芯片的电源地信号引脚与一个所述的引出脚相连接，所述的高压侧驱动控制电路芯片的电源地信号引脚通过金属导线与一个所述的引出脚相连接，所述的高压侧驱动控制电路芯片的电源信号引脚通过金属导线与一个所述的引出脚相连接，所述的低压侧驱动控制电路芯片的电源地信号引脚通过金属导线与一个所述的引出脚相连接，所述的低压侧驱动控制电路芯片的其余端口分别通过金属导线与空闲的所述的引出脚相连接。

3.根据权利要求2所述的一种桥式驱动电路芯片，其特征在于与所述的第一功率器件的电流输入端口相连接的所述的连接脚、与所述的第二功率器件的电流输入端口相连接的所述的连接脚、所述的第二功率器件的电流输出端口、所述的电平转移电路芯片的电源地信号引脚、所述的高压侧驱动控制电路芯片的电源信号引脚分别与不同的所述的引出脚相连接，所述的低压侧驱动控制电路芯片的电源地信号引脚和所述的电平转移电路芯片的电源地信号引脚分别与同一个所述的引出脚相连接，所述的高压侧驱动控制电路芯片的电源地信号引脚和与所述的第二功率器件的电流输入端口相连接的所述的连接脚分别与同一个所述的引出脚相连接。

4.根据权利要求3所述的一种桥式驱动电路芯片，其特征在于所述的低压侧驱动控制电路芯片的电源地和所述的电平转移电路芯片的电源地具有相同的电位；所述的高压侧驱动控制电路芯片的电源地和所述的第二功率器件的电流输入端口具有相同的电位。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的一种桥式驱动电路芯片，其特征在于所述的第一功率器件和所述的第二功率器件均为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的第一功率器件和所述的第二功率器件的上表面上均设置有栅极和源极，所述的第一功率器件和所述的第二功率器件的下表面上均设置有漏极，所述的栅极为信号控制端，所述的漏极为电流输入端，所述的源极为电流输出端，所述的第一功率器件的下表面通过导电胶或其它导电物质或非导电胶粘接在第二个所述的基岛上，所述的第二功率器件的下表面通过导电胶或其它导电物质或非导电胶粘接在第三个所述的基岛上。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的一种桥式驱动电路芯片，其特征在于所述的第一功率器件和所述的第二功率器件均为绝缘栅双极型晶体管，或均为晶闸管。

7.根据权利要求5所述的一种桥式驱动电路芯片，其特征在于所述的电平转移电路芯片包括一个LDMOS管，所述的LDMOS管的栅极与所述的电平转移电路芯片的信号输入引脚相连接，所述的LDMOS管的漏极与所述的电平转移电路芯片的信号输出引脚相连接，所述的LDMOS管的源极与所述的电平转移电路芯片的电源地信号引脚相连接，所述的LDMOS管的栅极与漏极之间承受的高压范围为400～1000V，所述的LDMOS管的源极与漏极之间承受的高压范围为400～1000V。