[发明专利]半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请享有2009年6月22日所申请的日本专利申请2009-148098的优先权，该日本专利申请的全部内容在本申请中引用。

技术领域

本发明涉及半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法，特别涉及使用固体摄像元件的半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化及轻型化，特别是便携式电话机等所使用的摄像机模块小型化的要求日渐增高。与之相伴，作为摄像机模块的封装，采用具备BGA(球栅阵列：Ball Grid Array)型端子的CSP(芯片尺寸封装：Chip Scale Package)构造的封装的情况越发增多。对于具备BGA型端子的摄像机模块而言，例如在半导体基板上的与形成摄像元件的面(以下将其称为上面)相反侧的面(以下将其称为背面)上形成布线图形，经由基板内或者侧面上所形成的电极来电连接基板背面的布线图形和基板上面的摄像元件。借此，可以将形成摄像元件后的半导体基板薄形化，结果，使摄像机模块进一步的小型化及薄形化成为可能(例如参见日本特开2007-189198号公报)。

但是，在采用现有技术的摄像机模块中，来自基板背面的光经过基板入射于其上面所形成的摄像元件上，发生在摄像图像上产生重影(ghost)或者映入基板背面的布线图形等问题。作为解决这种问题的技术，存在一种例如在基板背面上形成遮挡来自被摄体以外的光的光反射层或光吸引层的技术(例如参见日本特开2007-189198号公报)。

但是，对于上述以往那种把与基板上面所形成的摄像元件之间的电连接利用贯通基板的贯通电极引出基板背面的结构来说，在半导体基板和基板背面的布线图形之间产生寄生电容及寄生电阻，因此高频信号的波形变钝。为此，产生难以使固体摄像元件高速工作这样的问题。这种问题即便用金属层形成例如形成于基板背面的遮光用层，也无法解决。也就是说，即便在基板背面上形成了金属层，也因为该金属层电浮动，所以上述那种因寄生电容及寄生电阻而产生的问题得不到解决。

发明内容

半导体器件具备：半导体基板，在第1面上形成半导体元件；布线图形，形成于上述半导体基板的与上述第1面相反侧的第2面侧，至少在一部分中包含接地线；贯通电极，从上述第1面到上述第2面贯通上述半导体基板，电连接上述半导体元件和上述布线图形；以及金属膜，形成于上述半导体基板的上述第2面与上述布线图形延伸存在的面之间，和上述接地线电连接。

摄像机模块具备：下述的半导体器件；透镜单元，配设于上述半导体器件的第1面侧；以及壳体，保持上述半导体器件和上述透镜单元；上述半导体器件具备：半导体基板，在第1面上具备半导体元件；布线图形，位于上述半导体基板的与上述第1面相反侧的第2面侧，至少在一部分中包含接地线；贯通电极，从上述第1面到上述第2面贯通上述半导体基板，电连接上述半导体元件和上述布线图形；以及金属膜，位于上述半导体基板的上述第2面与上述布线图形延伸存在的面之间，与上述接地线电连接。

半导体器件的制造方法包含下述步骤：形成接触孔，该接触孔将在第1面上具备半导体元件的半导体基板从上述第1面贯通到与该第1面相反侧的第2面；在上述半导体基板的上述第2面侧形成和该半导体基板电连接的金属膜；形成使上述金属膜的一部分露出并且覆盖该金属膜的绝缘膜；在上述绝缘膜上形成布线图形，并且在上述接触孔内形成贯通上述半导体基板的贯通电极，该布线图形至少包含通过上述露出部分与上述金属膜电连接的接地线。

根据本发明的实施方式，能够实现避免重影及布线图形等的映入并且可高速工作的半导体器件及摄像机模块，以及可高速工作的半导体器件的制造方法。

附图说明

图1是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的概略结构的示意剖面图。

图2是表示根据本发明实施方式1的半导体器件的概略结构的示意剖面图。

图3是表示根据本发明实施方式1的半导体器件的概略结构的俯视图。

图4A是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的制造方法的工序图(其1)。

图4B是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的制造方法的工序图(其2)。

图4C是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的制造方法的工序图(其3)。

图4D是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的制造方法的工序图(其4)。

图4E是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的制造方法的工序图(其5)。

图4F是表示根据本发明实施方式1的摄像机模块的制造方法的工序图(其6)。