[发明专利]半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201010213275.5 | 申请日: | 2010-06-22 |
公开(公告)号: | CN101930986A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 松尾美惠;萩原健一郎;小松公 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 摄像机 模块 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,具备:
半导体基板,在第1面上具备半导体元件;
布线图形,位于上述半导体基板的与上述第1面相反侧的第2面侧,至少一部分包括接地线;
贯通电极,从上述第1面到上述第2面贯通上述半导体基板,将上述半导体元件和上述布线图形电连接;以及
金属膜,位于上述半导体基板的上述第2面与上述布线图形所延伸存在的面之间,与上述接地线电连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,
上述贯通电极位于贯通上述半导体基板的接触孔内,
从上述第2面侧观察,上述金属膜在上述接触孔开口。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,
上述开口与上述金属膜的边缘连续。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中,
上述贯通电极位于贯通上述半导体基板的接触孔内,
从上述第2面侧观察,上述金属膜覆盖该第2面及上述接触孔的内侧面。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,
上述贯通电极位于贯通上述半导体基板的接触孔内,
从上述第2面侧观察,上述接触孔排列在该第2面的外缘附近,
从上述第2面侧观察,上述金属膜的端部比上述接触孔的排列更靠内侧。
6.一种摄像机模块,具备:
半导体器件,该半导体器件具备半导体基板、布线图形、贯通电极和金属膜,该半导体基板在第1面上具备半导体元件,该布线图形位于上述半导体基板的与上述第1面相反侧的第2面侧,至少一部分包括接地线,该贯通电极从上述第1面到上述第2面贯通上述半导体基板,将上述半导体元件和上述布线图形电连接,该金属膜位于上述半导体基板的上述第2面与上述布线图形所延伸存在的面之间,与上述接地线电连接;
透镜单元,配置在上述半导体器件的上述第1面侧;以及
壳体,保持上述半导体器件和上述透镜单元。
7.如权利要求6所述的摄像机模块,其中,
上述贯通电极位于贯通上述半导体基板的接触孔内,
从上述第2面侧观察,上述金属膜在上述接触孔开口。
8.如权利要求7所述的摄像机模块,其中,
上述开口与上述金属膜的边缘连续。
9.如权利要求6所述的摄像机模块,其中,
上述贯通电极位于贯通上述半导体基板的接触孔内,
从上述第2面侧观察,上述金属膜覆盖该第2面及上述接触孔的内侧面。
10.如权利要求6所述的摄像机模块,其中,
上述贯通电极位于贯通上述半导体基板的接触孔内,
从上述第2面侧观察,上述接触孔排列在该第2面的外缘附近,
从上述第2面侧观察,上述金属膜的端部比上述接触孔的排列更靠内侧。
11.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:
形成接触孔,该接触孔从半导体基板的第1面到与该第1面相反侧的第2面贯通上述半导体基板,该半导体基板在上述第1面上具备半导体元件;
在上述半导体基板的上述第2面侧形成与该半导体基板电连接的金属膜;
形成使上述金属膜的一部分露出并且覆盖该金属膜的绝缘膜;
在上述绝缘膜上形成至少包括经由上述露出部分与上述金属膜电连接的接地线的布线图形,并且在上述接触孔内形成贯通上述半导体基板的贯通电极。
12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法,其中,
上述金属膜形成为从上述第2面侧观察在上述接触孔开口。
13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法,其中,
上述开口与上述金属膜的边缘连续。
14.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法,其中,
上述金属膜形成为从上述第2面侧观察覆盖该第2面及上述接触孔的内侧面。
15.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法,其中,
从上述第2面侧观察,上述接触孔排列在该第2面的外缘附近,
从上述第2面侧观察,上述金属膜的端部形成为比上述接触孔的排列更靠内侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的