[发明专利]发光装置的制造方法、发光装置以及发光装置搭载用基板有效
申请号: | 201010211802.9 | 申请日: | 2010-06-22 |
公开(公告)号: | CN101930934A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 酒井隆照;片野新一 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/48;H01L21/78;H01L25/13;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 制造 方法 以及 搭载 用基板 | ||
1.一种发光装置的制造方法,其特征在于,
该发光装置的制造方法具有如下工序:
准备金属板的工序,该金属板沿预定方向形成有一条以上的连结部狭缝,所述连结部狭缝包括开口部和使多个发光装置基板一体化的连结部;
将多个发光元件以排列的方式搭载于所述金属板的工序;
将树脂制的板状反射器重叠地搭载并固定于所述金属板的工序,所述板状反射器在与所述金属板的发光元件搭载位置对应的位置设有开口,且在与所述金属板的所述连结部狭缝重叠的位置形成有第一反射器分割槽;以及
使重叠地固定的所述金属板和所述板状反射器沿所述金属板的所述连结部狭缝和所述板状反射器的所述第一反射器分割槽断裂的工序。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
所述发光装置的制造方法具有如下工序:在所述金属板形成与所述连结部狭缝正交的基板分割槽,
在所述板状反射器的与所述基板分割槽重叠的位置形成第二反射器分割槽,并沿所述基板分割槽和所述第二反射器分割槽进行断裂。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
所述第一反射器分割槽和/或所述第二反射器分割槽为从两面分别形成的V形槽。
4.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
所述发光装置的制造方法具有如下工序:在所述金属板形成用于将该金属板电气分隔为两个区域的绝缘用狭缝,在所述搭载工序之前、或者在所述搭载工序之后且在所述固定工序之前,向所述绝缘用狭缝填充绝缘性树脂。
5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
所述发光装置的制造方法具有如下工序:利用键合线连接在所述搭载工序中搭载的发光元件的上表面电极、和设于隔着所述绝缘用狭缝而与所述发光元件对置的一侧的所述区域的焊盘。
6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
所述连结部配置于从如下的带状的区域偏离的位置:所述带状的区域为通过将所述金属板上的配置有所述发光元件和所述键合线的区域假想地沿与所述连结部狭缝的长度方向垂直的方向延长而在所述金属板上定义的带状的区域。
7.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述连结部至少从单侧设有V字型的切口,所述第一反射器分割槽的截面形成为V字型,以所述切口与所述第一反射器分割槽重叠的方式固定所述板状反射器和所述金属板。
8.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述断裂工序中,从所述基板分割槽和所述连结部狭缝任意地选择进行断裂。
9.一种发光装置,其特征在于,
该发光装置具有:
金属制的基板,所述基板具有填充有绝缘性树脂的绝缘用狭缝;
发光元件,所述发光元件搭载于所述基板;以及
树脂制的反射器,所述反射器配置在所述基板上,且在与所述发光元件的搭载位置对应的位置具有开口,
在所述基板的与所述绝缘用狭缝正交的侧面具有突起部,在所述突起部的端部形成有倾斜面。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,
所述发光元件搭载于由所述绝缘用狭缝电气分离的所述基板的第一区域和第二区域中的任一个区域,
所述发光元件的一个电极经由键合线与所述基板的第一区域和第二区域中的未搭载所述发光元件的一方电连接,
在所述基板的所述第一区域和第二区域分别形成有所述突起部。
11.一种发光装置搭载用基板,其特征在于,
该发光装置搭载用基板具有一条以上的连结部狭缝,所述连结部狭缝由开口部和使多个发光装置用金属制基板一体化的连结部构成,在所述连结部至少从单侧设有切口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯坦雷电气株式会社,未经斯坦雷电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010211802.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造