[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成氧化物半导体膜；

通过干蚀刻对所述氧化物半导体膜进行图形化；以及

在蚀刻之后加热所述氧化物半导体膜。

2.根据权利要求1的方法，其中所述氧化物半导体膜包括本征半导体或实质上本征的半导体。

3.根据权利要求2的方法，其中所述本征半导体具有相同数量的负电荷和正电荷。

4.根据权利要求2的方法，其中所述本征半导体或所述实质上本征的半导体添加有赋予p型的杂质。

5.根据权利要求1的方法，其中以250℃或更高的温度加热所述氧化物半导体膜。

6.根据权利要求1的方法，其中在所述干蚀刻中使用气体，所述气体包括选自由Cl₂、BCl₃、SiCl₄和CCl₄组成的组中的至少其中之一。

7.根据权利要求1的方法，其中在所述干蚀刻中使用气体，所述气体包括选自由CF₄、NF₃、SF₆和CHF₃组成的组中的至少其中之一。

8.根据权利要求1的方法，其中所述氧化物半导体膜包括氧化锌。

9.根据权利要求1的方法，其中所述氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

10.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成氧化物半导体膜；

通过使用包含氟和氯至少其中之一的气体对所述氧化物半导体膜进行蚀刻以形成薄膜晶体管的沟道区域；以及

在蚀刻之后加热所述氧化物半导体膜。

11.根据权利要求10的方法，其中所述氧化物半导体膜包括本征半导体或实质上本征的半导体。

12.根据权利要求11的方法，其中所述本征半导体具有相同数量的负电荷和正电荷。

13.根据权利要求11的方法，其中所述本征半导体或所述实质上本征的半导体添加有赋予p型的杂质。

14.根据权利要求10的方法，其中以250℃或更高的温度加热所述氧化物半导体膜。

15.根据权利要求10的方法，其中所述气体包括选自由Cl₂、BCl₃、SiCl₄和CCl₄组成的组中的至少其中之一。

16.根据权利要求10的方法，其中所述气体包括选自由CF₄、NF₃、SF₆和CHF₃组成的组中的至少其中之一。

17.根据权利要求10的方法，其中所述氧化物半导体膜包括氧化锌。

18.根据权利要求10的方法，其中所述氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

19.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成氧化物半导体膜；

通过使用包含氟和氯至少其中之一的气体进行干蚀刻将所述氧化物半导体膜形成为岛状区域；以及

在所述干蚀刻之后加热所述氧化物半导体膜。

20.根据权利要求19的方法，其中所述氧化物半导体膜包括本征半导体或实质上本征的半导体。

21.根据权利要求20的方法，其中所述本征半导体具有相同数量的负电荷和正电荷。

22.根据权利要求20的方法，其中所述本征半导体或所述实质上本征的半导体添加有赋予p型的杂质。

23.根据权利要求19的方法，其中以250℃或更高的温度加热所述氧化物半导体膜。

24.根据权利要求19的方法，其中所述气体包括选自由Cl₂、BCl₃、SiCl₄和CCl₄组成的组中的至少其中之一。