[发明专利]盐及包含该盐的光致抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种适用于产酸剂的盐及包含该盐的光致抗蚀剂组合物。

背景技术

用于采用光刻工艺的半导体微组装(microfabrication)的化学增幅正性抗蚀剂组合物含有产酸剂，该产酸剂包含可通过辐射产生酸的化合物。

美国专利申请US 2006/0194982A1公开了三苯基锍1-(3-羟基金刚烷基)甲氧羰基二氟甲烷磺酸盐以及包含三苯基锍1-(3-羟基金刚烷基)甲氧羰基二氟乙烷作为产酸剂的光致抗蚀剂组合物。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新颖的适用于产酸剂的盐以及包含该盐的光致抗蚀剂组合物。

本发明涉及下述内容：

<1>一种盐，其具有如式(I)所示的基团：

-T    (I)

其中T代表C3-C36脂环烃基，其中至少两个亚甲基被-O-或-S-替代，并且该脂环烃基可以具有一个以上取代基；

<2>如<1>所述的盐，其中由式(I)所示的基团是如式(I-1)所示的基团：

其中X¹¹和X¹²独立地各自代表-O-或-S-，R^b在各种情况下独立地是卤素原子、羟基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C6-C12芳基、C7-C12芳烷基、缩水甘油氧基或C2-C4酰基，mb代表0-4的整数，n1代表1或2，并且n2代表0或1；

<3>如<1>或<2>所述的盐，其中如式(I)所示的基团是如式(I-2)所示的基团：

其中R^b在各种情况下独立地是卤素原子、羟基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C6-C12芳基、C7-C12芳烷基、缩水甘油氧基或C2-C4酰基，并且mb代表0-4的整数；

<4>如<1>至<3>中任一项所述的盐，其中该盐如式(b1)所示：

其中Q¹和Q²各自独立地代表氟原子或C1-C6全氟化烷基，

X¹代表C1-C17饱和烃基，其可以具有一个以上取代基，并且在该饱和烃基中的一个以上亚甲基可用-O-或-CO-替代，

Y¹代表C3-C36脂环烃基、C6-C24芳香烃基或如式(I)所示的基团：

-T    (I)

其中T代表C3-C36脂环烃基，其中至少两个亚甲基被-O-或-S-替代并且其可以具有一个以上取代基，上述脂环烃基和芳香烃基可具有一个以上取代基，并且脂环烃基中的一个以上亚甲基可用-O-或-CO-替代，只要脂环烃基中被-O-替代的亚甲基的数目为1个即可，

Z代表有机基团，Y²代表氢原子或包含如式(I)所示基团的基团；

<5>一种包含树脂和如<1>至<4>任一项所述的盐的光致抗蚀剂组合物，其中该树脂包含具有酸不稳定性基团的结构单元，并且该树脂不溶于或微溶于碱性水溶液，但是在酸的作用下变得可溶于碱性水溶液；

<6>如<5>所述的光致抗蚀剂组合物，其中该光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物；

<7>一种用于形成光致抗蚀图案的方法，包括如下步骤(1)至(5)：

(1)将如<5>或<6>所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在基材上；

(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜；

(3)将光致抗蚀剂膜在辐射下曝光；

(4)焙烤经曝光的光致抗蚀剂膜；

(5)用碱性显影剂显影经焙烤的光致抗蚀剂膜，从而形成光致抗蚀图案。

具体实施方式

本发明的盐具有如式(I)所示的基团：

-T    (I)

其中T代表C3-C36脂环烃基，其中至少两个亚甲基被-O-或-S-替代，并且该脂环烃基可以具有一个以上取代基。

T中的取代基的例子包括卤素原子、羟基、羧基、C1-C12脂肪烃基、C3-C20脂环烃基、C6-C20芳香烃基、C7-C21芳烷基、缩水甘油氧基以及C2-C4酰基。

卤素原子的例子包括氟原子、溴原子、氯原子和碘原子。C1-C12脂肪烃基的例子包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、十六基以及十七基。