[发明专利]发光装置无效

专利信息
申请号: 201010198537.5 申请日: 2006-12-15
公开(公告)号: CN101872758A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 冈朵拉·罗夫;瓦特·涂斯;李贞勋 申请(专利权)人: 首尔半导体株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L33/50;H01L27/15;C09K11/59;C09K11/66
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

至少一个发光二极管,能够产生处于预定波长区的光,发光二极管具有多个发光单元和整流桥,所述多个发光单元和整流桥在单个基底上,每个发光单元包括P型半导体层和N型半导体层;

磷光体,包括化合物,所述化合物包含铜和作为主晶格成分的碱土金属,所述化合物被活化剂离子激活,所述磷光体位于发光二极管周围,以吸收从发光二极管发射的光的一部分,并发射波长与所吸收的光的波长不同的光。

2.如权利要求1所述的发光装置,其中,所述化合物包含具有式1的富有铜-碱土的混晶硅酸盐,

式1

a(M′O)b(M″O)c(M″′X)d(M″′2O)e(M″″2O3)f(M″″′oOp)g(SiO2)h(M″″″xOy)

其中,

M′是Cu;

M″是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种元素;

M″′是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种元素;

M″″是由B、Al、Ga和In组成的组中的至少一种或多种元素;

M″″′是由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf组成的组中的至少一种或多种元素;

M″″″是由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的组中的至少一种或多种元素;

X是由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素;

0<a≤2;

0<b≤8;

0≤c≤4;

0≤d≤2;

0≤e≤2;

0≤f≤2;

0<g≤10;

0<h≤5;

1≤o≤2;

1≤p≤5;

1≤x≤2;

1≤y≤5。

3.如权利要求1所述的发光装置,其中,所述化合物包含具有式2的富有铜-碱土的混晶锗酸盐和/或锗酸盐-硅酸盐,

式2

a(M′O)b(M″2O)c(M″X)d(GeO2)e(M″′O)f(M″″2O3)g(M″″′oOp)h(M″″″xOy)

其中,

M′是Cu;

M″是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种元素;

M″′是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种元素;

M″″是由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La组成的组中的至少一种或多种三价元素;

M″″′是由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta、W、Mo和Hf组成的组中的至少一种或多种元素;

M″″″是由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb组成的组中的至少一种或多种元素;

X是由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素;

0<a≤2;

0≤b≤2;

0≤c≤10;

0<d≤10;

0≤e≤14;

0≤f≤14;

0≤g≤10;

0<h≤2;

1≤o≤2;

1≤p≤5;

1≤x≤2;

1≤y≤5。

4.如权利要求3所述的发光装置,其中,锶的浓度小于0.4摩尔每摩尔磷光体。

5.如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的发光装置,其中,所述化合物转换一种或多种处于300nm-400nm范围内的紫外辐射和/或处于380nm-500nm范围内的蓝色辐射,以产生处于光谱的可见区的高显色指数Ra大于90的光。

6.如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的发光装置,其中,所述化合物在LED中用作单一磷光体和/或多种单一磷光体的混合物,以用于实现显色指数Ra大于90的白光。

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