[发明专利]侧墙形成方法无效
| 申请号： | 201010192495.4 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270574A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种侧墙形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅氧化层和多晶硅层；
形成覆盖所述多晶硅层的保护层薄膜，并刻蚀所述保护层薄膜形成保护层；
依次刻蚀所述多晶硅层以及栅氧化层形成栅极；
形成覆盖所述半导体衬底和保护层以及栅极侧壁的第一介质层，并形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；
刻蚀所述半导体衬底上以及所述保护层顶部和侧壁的第二介质层，并刻蚀所述保护层顶部和侧壁的第一介质层；
去除所述保护层和半导体衬底上的第一介质层，以在栅极侧壁形成侧墙。
2.如权利要求1所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述保护层薄膜包括第一保护层薄膜以及覆盖所述第一保护层薄膜的第二保护层薄膜。
3.如权利要求2所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一保护层薄膜的材质为氧化硅。
4.如权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一保护层薄膜的厚度为
5.如权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一保护层薄膜是利用氧化工艺形成，所述氧化工艺的温度小于600摄氏度。
6.如权利要求2所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第二保护层薄膜的材质为多晶硅。
7.如权利要求6所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第二保护层薄膜的厚度为
8.如权利要求6所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第二保护层薄膜是利用化学气相沉积工艺形成，所述化学气相沉积工艺的温度小于600摄氏度。
9.如权利要求2所述的侧墙形成方法，其特征在于，刻蚀所述保护层薄膜形成保护层的步骤包括：
刻蚀所述第二保护层薄膜形成第二保护层；以及
刻蚀所述第一保护层薄膜形成第一保护层，所述第一保护层和第二保护层构成所述保护层。
10.如权利要求9所述的侧墙形成方法，其特征在于，去除所述保护层和半导体衬底上的第一介质层的步骤包括：
干法去除所述第二保护层；以及
湿法去除所述第一保护层以及所述半导体衬底上的第一介质层。
11.如权利要求1所述的侧墙形成方法，其特征在于，形成所述保护层薄膜之前还包括：利用离子注入方式在所述多晶硅层中掺入杂质离子。
12.如权利要求1所述的侧墙形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层和第二介质层之前还包括：利用离子注入方式在所述栅极两侧的半导体衬底中形成轻掺杂区。
13.如权利要求1所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为氧化硅。
14.如权利要求13所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为
15.如权利要求1所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材质为氮化硅。
16.如权利要求15所述的侧墙形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
