[发明专利]一种透射电子显微镜观测样品制备方法有效
申请号: | 201010192437.1 | 申请日: | 2010-06-04 |
公开(公告)号: | CN102269771A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 张玉多;刘君芳;谢火扬;陈卉;卢秋明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01Q30/20 | 分类号: | G01Q30/20;G01N1/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透射 电子显微镜 观测 样品 制备 方法 | ||
1.一种透射电子显微镜观测样品制备方法,包括以下步骤:
提供一需观察的半导体器件,所述半导体器件包括衬底和位于所述衬底上的图形层,在所述图形层之上固定一新衬底,形成一新的半导体器件;
去除所述衬底,使所述图形上紧邻所述衬底的图形层暴露出来;
观察所述暴露出的图形层,确定其上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域;
沿所述新的半导体器件的垂直截面方向对所述新的半导体器件进行切割减薄,使所述暴露出的图形层上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域的截面暴露出来,并形成厚度符合透射电子显微镜观测要求的观测样品。
2.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,所述在所述图形层之上固定一新衬底的方法为通过热固胶将所述新衬底粘附到所述图形层的表面。
3.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,去除所述衬底的步骤包括:首先去除所述衬底的大部分;然后通过湿法刻蚀方法去除所述衬底的剩余部分,使所述图形层上紧邻所述衬底的图形层暴露出来。
4.如权利要求3所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,所述去除所述衬底的大部分的方法为是机械研磨。
5.如权利要求4所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,在进行所述机械研磨的步骤前,在所述新衬底之上固定一玻璃板,再在所述玻璃板上固定一把手;完成所述机械研磨后去除所述玻璃板及所述把手。
6.如权利要求5所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,所述固定所述玻璃板和所述把手的方法为使用热蜡将所述玻璃板和所述把手分别粘附在所述新衬底和所述玻璃板上。
7.如权利要求3所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,所述湿法刻蚀方法为将所述新的半导体器件放入至温度为75-85℃,浓度为20%-30%的胆碱溶液中进行刻蚀,直至所述衬底的剩余部分被完全刻蚀掉。
8.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,所述观察所述暴露出的图形层,确定其上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域的方法为采用扫描电子显微镜对所述暴露出的图形层进行观察。
9.如权利要求1所述的透射电子显微镜观测样品制备方法,其特征在于,所述沿所述新的半导体器件的垂直截面方向对所述新的半导体器件进行切割减薄的方法为使用聚焦离子束对所述新的半导体器件进行切割。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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