[发明专利]液晶显示装置及其制作方法、检测及改善装置有效

专利信息
申请号: 201010178643.7 申请日: 2010-05-13
公开(公告)号: CN102243382A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 霍思涛;马骏;凌志华 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1333
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 制作方法 检测 改善 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种显示装置,尤其涉及一种液晶显示装置及制作方法,还涉及一种液晶液晶显示装置的检测装置及方法,又涉及一种液晶显示装置透过率的改善装置及方法。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具有低压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点,现已广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备的显示装置。与阴极射线管或等离子体显示装置不同,液晶面板自身并不发光,而是依靠控制外界光的反射和透射形成不同对比度达到显示目的。现有技术中液晶分子在竖直方向上偏转,导致显示器视角较窄。因此广视角技术应运而生,平面内旋转(In PlaneSwitching,IPS)就是其中颇具优势的一种。

LCD通常包括用于显示图像的液晶板和向液晶板施加驱动信号的驱动部分。液晶板具有相对的第一玻璃基板和第二玻璃基板,在第一玻璃基板和第二玻璃基板之间有一液晶层。IPS型LCD第一玻璃基板设有在一个方向上按一定间隔排列的多条栅极线、垂直于栅极线按一定间隔排列的多条数据线,以及传输电气信号的外围走线;栅极线和数据线限定形成矩阵形像素区,像素区内具有多个像素电极、公共电极和薄膜晶体管。第二玻璃基板上设有用于遮蔽除像素区之外其它部分的光黑色矩阵层,以及显示颜色的滤色片层。

IPS型LCD的原理是像素电极和公共电极产生平面电场,使得液晶分子在与玻璃基底平行的平面内转动以改变光线的透过率,避免了液晶分子在竖直方向上的偏转,达到较大的观察视角。鉴于IPS液晶显示装置的透过率与像素电极间距具有很强的相关性,精确地控制像素电极间距显得尤为重要。

申请号200610145260.3的中国专利申请(以下简称背景专利)公开一种显示器件的像素电极结构。如图1、图2所示,在基板60的像素区域35中形成公共电极30;在公共电极30上设置覆盖公共电极30的绝缘层36;在绝缘层36的顶面上设置像素电极50。像素电极50包括沿彼此平行方向并置的子像素电极55,所述子像素电极55弯曲成钝角的弯曲形状。随着子像素电极55从像素区域35的一侧32到另一侧34,子像素电极55的宽度W1趋于逐渐增大,相邻两个子像素电极55之间的间距L10也逐渐增大。背景专利通过依次改变像素电极55的间距和宽度,从而防止图像的显示质量下降。

但是,批量制作显示器过程中制作工艺会存在一定偏差,使得一些显示器制作后的实际结构与标准结构之间存在偏差,导致这些显示器的透过率存在差异。此时,若要解决该技术问题,则需改动显示器件的结构,或者将误差成品舍弃,重新制作新的显示器件,这样一来大大增加了显示器件的制作成本。

发明内容

本发明要解决技术问题是,能方便地检测批量制作液晶显示装置过程中制作工艺过程中产生偏差,以方便调整显示器的差异。

本发明提供一种液晶显示装置包括一基板,设置在所基板上的像素电极和公共电极,所述像素电极和所述公共电极之间具有第一距离;其特征在于,所述显示器进一步包括设置于所述基板的传感电容,所述传感电容包括设置在基板上的第一电极和第二电极,所述第一电极与第二电极之间具有与第一距离相关联的第二距离。

所述像素电极和公共电极形成像素电容,所述传感电容的电容值大于所述像素电容的电容值。

所述传感电容的电容值大于所述像素电容的电容值10倍。

所述基板包括显示区和非显示区,所述像素电极和公共电极位于所述显示区,所述传感电容的第一电极和第二电极位于所述非显示区。

所述液晶显示装置呈矩形,所述非显示区围绕所述显示区,所述液晶显示装置包括至少4个传感电容分别设置在液晶显示装置的四角。

还包括覆盖所述基板、所述像素电极、所述公共电极、所述第一电极和所述第二电极的保护膜。

还包括绝缘层和保护膜,所述像素电极和所述第一电极位于所述绝缘层内,所述公共电极和所述第二电极位于所述保护膜内。

预先设计好的像素电极、公共电极之间的具有第一标准距离,预先设计好的传感电容的第一电极、第二电极之间具有第二标准距离,所述第一距离、第一标准距离之间的差值与所述第二距离、第二标准距离之间的差值相等。

还包括位于非显示区基板上的最外围走线,用于传输电信号至像素电极和公共电极,所述最外围走线与所述传感电容之间具有第三距离。

所述第三距离大于600微米。

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