[发明专利]低电容光电二极管元件和计算机断层造影检测器有效
| 申请号： | 201010178129.3 | 申请日： | 2010-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101882626A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | A·伊赫列夫;李文;J·A·考策尔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/08;A61B6/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;徐予红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 光电二极管 元件 计算机 断层 造影 检测器 | ||
1.一种光电二极管元件(20)，包括：
包括第一扩散类型的第一层(22)；
定义电荷收集区域(29)的第二层(24)，所述电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的活性区(32)以及无活性区(33)，所述活性区(32)围绕所述无活性区(33)；以及
设置在所述第一层(22)与所述第二层(24)之间的本征半导体层(26)。
2.如权利要求1所述的光电二极管元件(20)，其中，所述活性区(32)和所述无活性区(33)被配置成降低所述光电二极管元件(20)的电容。
3.如权利要求1所述的光电二极管元件(20)，其中，所述第一扩散类型包括P+扩散。
4.如权利要求1所述的光电二极管元件(20)，其中，所述第一扩散类型包括N+扩散。
5.如权利要求1所述的光电二极管元件(20)，其中，所述活性区(32)包括网格。
6.如权利要求1所述的光电二极管元件(20)，其中，所述无活性区(33)的尺寸由最短载流子扩散距离来确定。
7.一种光电二极管元件(20)，包括：
包括第一扩散类型的第一层(22)；
定义电荷收集区域(29)的第二层(24)，所述电荷收集区域(29)包括第二扩散类型的多个活性区(55)以及无活性区(57)，所述多个活性区(55)被电互连；以及
设置在所述第一层(22)与所述第二层(24)之间的本征半导体层(26)。
8.如权利要求7所述的光电二极管元件(20)，其中，所述第一扩散类型包括P+扩散。
9.如权利要求7所述的光电二极管元件(20)，其中，所述第一扩散类型包括N+扩散。
10.如权利要求7所述的光电二极管元件(20)，还包括连接所述多个活性区中的两个的导电触点(56)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
