[发明专利]一种制备ZnO纳米针阵列的方法无效
| 申请号： | 201010169824.3 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101845619A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 唐斌;税正伟;张强;谌贵辉;刘忠华 | 申请（专利权）人： | 西南石油大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/02 |
| 代理公司： | 南充三新专利代理有限责任公司 51207 | 代理人： | 许祥述 |
| 地址： | 637100*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 纳米 阵列 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备ZnO纳米针阵列的方法，按下列步骤进行：
(a)利用化学清洗方法将Si基片表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层，备用；
(b)将盛有高纯度＞99.95％ZnO粉末的氧化铝舟放入管式炉中心的热蒸发位置；
(c)将清洗好的单晶Si基片放入管式炉中生长位置，基片表面向上；
(d)前期热蒸发沉积，和后期热蒸发沉积，其特征在于：前期热蒸发以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1340-1360℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间25-30分钟；
(e)再行后期热蒸发沉积，后期热蒸发沉积以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1430-1460℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间5-8分钟，即完成ZnO纳米针阵列的制备。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
