[发明专利]一种静态随机存储器无效
| 申请号： | 201010164943.X | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101819977A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静态 随机 存储器 | ||
1.一种静态随机存储器，其特征在于包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第二NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管亦相连。
2.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均为N型薄膜场效应晶体管。
3.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的源极或者漏极相连。
4.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的源极或者漏极相连。
5.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的源极或者漏极相连。
6.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的源极或者漏极相连。
7.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第一PMOS管和所述第二PMOS管均为P型薄膜场效应晶体管。
8.根据权利要求7所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第一NMOS管的栅极分别和所述第二NMOS管、第二PMOS管的源极或者漏极相连。
9.根据权利要求7所述的静态随机存储器，其特征在于：所述第二NMOS管的栅极分别和所述第一NMOS管、第一PMOS管的源极或者漏极相连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
