[发明专利]沉积蒸发源无效
| 申请号： | 201010149792.0 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102214730A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 雷智;邹志杰 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/04;C23C14/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;李家麟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 蒸发 | ||
1.一种沉积蒸发源，包括：
加热装置；
加热板，放置于所述加热装置上方；和
蒸发材料，放置于所述加热板上，
其特征在于，所述加热板上均匀地设有贯穿所述加热板的通道。
2.如权利要求1所述的沉积蒸发源，其特征在于，所述通道是孔状通道。
3.如权利要求1所述的沉积蒸发源，其特征在于，所述通道是缝状通道。
4.如权利要求1所述的沉积蒸发源，其特征在于，所述加热板上设置有多个凹槽，且配置所述加热板上的多个凹槽使得位于所述加热板中心部分的凹槽的体积之和小于位于所述加热板边缘部分的凹槽的体积之和，所述蒸发材料被放置于所述凹槽内。
5.如权利要求4所述的沉积蒸发源，其特征在于，所述加热板中心部分的每个凹槽与所述加热板边缘部分的每个凹槽的体积相同，所述加热板中心部分的凹槽的数量多于所述加热板边缘部分的凹槽的数量。
6.如权利要求4所述的沉积蒸发源，其特征在于，所述加热板中心部分的凹槽的长度小于所述加热板边缘部分的凹槽的长度。
7.如权利要求4所述的沉积蒸发源，其特征在于，所述加热板中心部分的凹槽的深度小于所述加热板边缘部分的凹槽的深度。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的沉积蒸发源，其特征在于，其中所述加热装置是加热丝。
9.如权利要求1至7中任意一项所述的沉积蒸发源，其中，所述蒸发源适用于近空间升华。
10.如权利要求1至7中任意一项所述的沉积蒸发源，其中，所述加热板是均热板。
11.如权利要求1至7中任意一项所述的沉积蒸发源，其中，所述加热板由碳化硅、石英、BN、莫来石中的任意一种材料制成。
12.一种包括如权利要求1至7中任意一项所述的沉积蒸发源的近空间升华沉积设备。
13.一种根据如权利要求11所述近空间升华沉积设备得到的沉积薄膜。
14.如权利要求13所述的沉积薄膜，其中所述沉积薄膜是CdTe薄膜。
15.采用如权利要求13至14中任一项所述的沉积薄膜的太阳能电池。
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