[发明专利]高性能半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010142509.1 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102136435A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;马正焜;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 上海卓骋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海明成云知识产权代理有限公司 31232 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
以半导体材料生成核心结构；
依次生成将所述核心结构连接到外部的N个连接层，其中，第1个连接层紧靠所述核心结构，第N个连接层离所述核心结构最远，第N个连接层采用抗氧化性的材料，N为正整数；
对所述核心结构和N个连接层的组合体进行热处理，使所述核心结构与第1个连接层的接触部分发生反应；
在第N个连接层外，再依次生成M个连接层，其中M为正整数。
2.根据权利要求1所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述抗氧化材料包括：钛，钽，镍。
3.根据权利要求1所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述热处理的温度范围是高于或等于400摄氏度，低于或等于500摄氏度。
4.根据权利要求3所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述热处理的气体氛围是以下之一：
真空，或者半导体级纯净氮气，或者半导体级纯净氮气+半导体级纯净氢气。
5.根据权利要求1所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，N＞1。
6.根据权利要求5所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述N＝2，M＝2；
从所述核心结构开始：
第1个连接层为铝或钛的金属薄膜，厚度为10纳米到1微米；
第2个连接层为钛或钽的金属薄膜，厚度为10纳米到1微米；
第3个连接层为镍或铬的金属薄膜，厚度为10纳米到1微米；
第4个连接层为铅或银或金的金属薄膜，厚度为100纳米到1微米。
7.根据权利要求6所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述核心结构包括三层，第一层为P型或N型掺杂区域，第二层为漂移区，第三层为表面元胞，其中，第二层的掺杂浓度低于第一层，第一层与所述第1个连接层相邻；
所述以半导体材料生成核心结构的步骤包括以下子步骤：
在半导体材料上制作所述核心结构的第二层和第三层；
对所得的半导体结构进行P型或N型离子注入。
8.根据权利要求6所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述生成N个连接层和生成M个连接层的步骤中，通过真空蒸发或真空溅射方式生成连接层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法可以应用于垂直型半导体器件的制造。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，所述垂直型半导体器件包括：金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海卓骋电子科技有限公司，未经上海卓骋电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010142509.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
