[发明专利]背照式图像传感器的制造方法有效
申请号: | 201010132236.2 | 申请日: | 2010-03-09 |
公开(公告)号: | CN102054715A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 黄冠杰;杨敦年;吴志仁;黄振铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/02;H01L23/485;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器的制造方法,所述方法包括:
设置具有前侧和背侧的器件衬底,其中,在所述前侧形成多个像素,并在所述前侧的上方形成互连结构;
在所述互连结构的上方形成重新分布层(RDL);
将玻璃衬底结合至所述RDL;
从所述背侧使所述器件衬底减薄;以及
去除所述玻璃衬底。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在制造另一背照式图像传感器时,通过重新使用所述玻璃衬底来对其进行循环使用。
3.根据权利要求1所述的方法,其后还包括:
切割所述器件衬底,以形成包括所述背照式图像传感器的芯片;以及
将所述RDL连接至用于封装所述芯片的板,其中,所述RDL层被连至不具有穿透硅通孔(TSV)的所述互连结构。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述器件衬底的减薄背侧上形成滤色器层;
在所述滤色器层上形成微透镜层;以及
将另一玻璃衬底结合至所述器件衬底的减薄背侧的上方,使得在所述另一玻璃衬底和所述器件衬底之间形成腔,其中,所述滤色器层和所述微透镜层设置在所述腔内,其中,所述腔填充有空气和环氧树脂中的一种。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,结合所述玻璃衬底包括:在所述RDL上涂覆粘合剂涂层,并在第一温度下结合所述玻璃衬底用于从所述背侧减薄并处理所述器件衬底,
以及其中,去除所述玻璃衬底包括:在大于所述第一温度的第二温度下脱粘所述玻璃衬底。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述互连结构和所述RDL之间形成钝化层。
7.一种背照式图像传感器的制造方法,包括:
设置具有前侧和背侧的器件衬底,其中,在所述前侧形成多个像素,并在所述前侧的上方形成互连结构;
将第一玻璃衬底结合至所述器件衬底的前侧;
从所述背侧减薄所述器件衬底;以及
将第二玻璃衬底结合至所述器件衬底的减薄背侧。
8.根据权利要求7所述的方法,其后还包括:
在所述第一玻璃衬底上形成重新分布层(RDL),其中,所述RDL被连接至不具有穿透硅通孔(TSV)的所述互连结构;
切割所述器件衬底以形成具有所述背照式图像传感器的芯片,所述芯片包括所述第一玻璃衬底和所述第二玻璃衬底;
将所述RDL连接至用于封装所述芯片的板;以及
形成侧壁接触组件以将所述RDL连接至所述互连结构。
9.根据权利要求7所述的方法,在结合所述第二玻璃衬底之前还包括:
在所述器件衬底的减薄背侧上形成滤色器层;以及
在所述滤色器层上形成微透镜层;
其中,结合所述第二玻璃衬底使得在所述第二玻璃衬底和所述器件衬底之间形成腔,其中,所述滤色器层和所述微透镜层设置在所述腔内,
其中,所述腔填充有空气和环氧树脂中的一种。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,结合所述第一玻璃衬底和结合所述第二玻璃衬底包括:涂覆用于结合的粘合剂涂层。
11.根据权利要求7所述的方法,还包括:在所述互连结构和所述第一玻璃衬底之间形成钝化层。
12.一种背照式图像传感器,包括:
器件衬底,具有前侧和背侧;
多个像素,设置在所述器件衬底的所述前侧;
互连结构,设置在所述器件衬底的所述前侧的上方;
第一玻璃衬底,结合至所述器件衬底的所述前侧;以及
第二玻璃衬底,结合至所述器件衬底的所述背侧。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,还包括:
滤色器层,设置在所述器件衬底的所述背侧上;以及
微透镜层,配置在所述滤色器层上;
其中,在所述第二玻璃衬底和所述器件衬底之间形成腔,其中,所述滤色器层和所述微透镜层设置在所述腔内,
其中,所述腔填充有空气和环氧树脂中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010132236.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造