[发明专利]一种硅基有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基有机电致发光器件，包括阳极、发光层、阴极，其特征在于：所述阳极是经过辐照的n型硅电极。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所采用的辐照能量为5MeV，剂量率为1.6×10¹²cm^-2s^-1，辐照时间为30秒至3600秒。

3.如权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于：所采用的辐照为低能电子辐照或伽玛射线辐照。

4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于：在阳极和发光层之间，加入空穴传输层；或在阴极和发光层之间，加入电子传输层；或在阳极和发光层之间，加入空穴传输层，在阴极和发光层之间，加入电子传输层。

5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于：在阳极和空穴传输层之间，加入空穴注入/控制层；或在阴极和电子传输层之间，加入电子注入/控制层；或在阳极和空穴传输层之间，加入空穴注入/控制层，在阴极和电子传输层之间，加入电子注入/控制层。

6.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于：发光层为高分子化合物、金属配合物、小分子有机荧光化合物或磷光化合物的一种，厚度为1-100纳米；阴极采用铝、钙、镁或其它低功函数金属，或这些低功函数金属与银、其它贵金属的合金，厚度为5-200纳米。

7.一种制备如权利要求1中发光器件的方法，其步骤如下：

1）通过辐照n型硅片，形成n型硅电极；

2）在辐照后的n型硅电极上，依次制备发光层和阴极。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：在步骤1中，所采用的辐照类型为高能电子辐照或伽玛射线辐照，辐照能量为5MeV，剂量率为1.6×10¹²cm^-2s^-1，辐照时间为30秒至3600秒。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于：在n型硅电极之上，用真空蒸镀方法，在制备发光层之前先制备空穴传输层；或在制备阴极之前，先制备电子传输层；或在制备发光层之前先制备空穴传输层，在制备阴极之前，先制备电子传输层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：在n型硅电极之上，用真空蒸镀方法，在制备空穴传输层之前先制备空穴注入/控制层；或在制备阴极之前，先制备电子注入/控制层；或在制备空穴传输层之前先制备空穴注入/控制层，在制备阴极之前，先制备电子注入/控制层。