[发明专利]固态摄像元件、制作该元件的方法及使用该元件的电子设备有效
申请号: | 201010124971.9 | 申请日: | 2010-03-01 |
公开(公告)号: | CN101826538A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 榎本贵幸;中泽圭一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/544 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 制作 方法 使用 电子设备 | ||
1.一种固态摄像元件,包括:
多个像素,所述多个像素中的每个都具有用于将入射光的量转换为电 信号的光电转换部分以及多个像素晶体管;
布线层,其形成在其中形成有所述多个像素的半导体衬底的一个表面 那一侧,由相应的一个所述光电转换部分来接收从与其上形成所述布线层 的所述一个表面相反的那一侧入射的光;
划线,其形成在由所述多个像素组成的像素部分的周围;以及
方形的终端检测部分,每个所述终端检测部分都具有比所述半导体衬 底更高的硬度并且形成在所述划线中;
其中,每个所述方形的终端检测部分都具有与所述半导体衬底的所述 划线的方向相平行的边,其中,
栅电极分别形成在所述终端检测部分上。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,每个所述终端检测部 分形成为使其具有矩形形状,其中矩形形状的纵向与所述半导体衬底的所 述划线的方向相同或者与所述半导体衬底的所述划线的方向正交。
3.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,每对在与所述划线的 方向正交的方向上彼此相邻的两个所述方形的终端检测部分形成在在所述 划线的方向上彼此偏移的相应位置处。
4.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,每对在所述划线的方 向上彼此相邻的两个所述方形的终端检测部分形成在在与所述划线的方向 正交的方向上彼此偏移的相应位置处,并且每对在与所述划线的方向正交 的方向上彼此相邻的两个所述方形的终端检测部分交替地形成在在所述划 线的方向上彼此偏移的相应位置处。
5.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,每对在所述划线的方 向上彼此相邻的两个所述方形的终端检测部分形成在在与所述划线的方向 正交的方向上彼此偏移的相应位置处,并且每对在与所述划线的方向正交 的方向上彼此相邻的两个所述方形的终端检测部分形成在在所述划线的方 向上彼此偏移的相应位置处。
6.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,每个所述终端检测部 分形成为使其具有由绝缘材料和导电材料制成的多层结构。
7.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,每个所述栅电极形成 在所述半导体衬底上,以使其具有比相应的一个所述终端检测部分更大的 面积。
8.根据权利要求7所述的固态摄像元件,其中,分别形成在所述终端 检测部分上的每个所述栅电极具有与所述多个像素晶体管的每个栅电极相 同的结构。
9.一种制作固态摄像元件的方法,包括以下步骤:
在半导体衬底的划线中,在从所述半导体衬底的一个表面起的厚度方 向上形成方形的终端检测部分,每个所述方形的终端检测部分都具有比半 导体衬底更高的硬度并且具有与所述半导体衬底的划线的方向平行的边;
在所述半导体衬底的所述一个表面那一侧上形成所述固态摄像元件的 组成要素的一部分;
将支撑衬底粘贴到所述半导体衬底的所述一个表面那一侧上;
对于所述半导体衬底的另一个表面那一侧执行化学机械研磨,并且在 所述终端检测部分的底面暴露到所述半导体衬底的所述另一个表面那一侧 的位置处以自对准的方式停止所述化学机械研磨,由此来对所述半导体衬 底进行变薄处理;以及
在所述半导体衬底的所述另一个表面那一侧上形成所述固态摄像元件 的组成要素的其他部分。
10.根据权利要求9所述的制作固态摄像元件的方法,其中,每个所 述终端检测部分形成为使其具有矩形形状,其中矩形形状的纵向与所述半 导体衬底的所述划线的方向相同。
11.根据权利要求9所述的制作固态摄像元件的方法,其中,在粘贴 所述支撑衬底的步骤中,所述终端检测部分用作对准标记。
12.根据权利要求9所述的制作固态摄像元件的方法,其中,在形成 所述固态摄像元件的组成要素的一部分的步骤中,在所述终端检测部分上 分别形成栅电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的