[发明专利]存储器电路以及控制存储器电路的方法

权利要求书

1.一种存储器电路，包含有：

一第一存储器阵列，其具有一第一端点以及一第二端点，其中该第一端点耦接于一第一供应电压；

一第二存储器阵列，其具有一第三端点以及一第四端点，其中该第四端点耦接于小于该第一供应电压的一第二供应电压；以及

一开关模块，耦接于该第一存储器阵列的该第二端点、该第二存储器阵列的该第三端点、该第一供应电压以及该第二供应电压；

其中当该存储器电路操作于一非运作模式时，该开关模块将该第二端点电性连接至该第三端点，且将该第二端点电性阻绝于该第二供应电压，以及将该第三端点电性阻绝于该第一供应电压。

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中当该存储器电路操作于一运作模式时，该开关模块将该第二端点电性阻绝于该第三端点，且将该第二端点电性连接至该第二供应电压，以及将该第三端点电性连接至该第一供应电压。

3.根据权利要求2所述的存储器电路，其中该开关模块包含有：

一第一开关，耦接于该第二端点与该第二供应电压之间；

一第二开关，耦接于该第二端点与该第三端点之间；以及

一第三开关，耦接于该第三端点与该第一供应电压之间。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中当该存储器电路自该非运作模式切换至该运作模式时，该第一开关以及该第三开关由非导通状态切换至导通状态，以及该第二开关由导通状态切换至非导通状态，其中该第二开关由导通状态切换至非导通状态的切换时间点早于该第一开关以及该第三开关由非导通状态切换至导通状态的切换时间点。

5.根据权利要求3所述的存储器电路，其中当该存储器电路自该运作模式切换至该非运作模式时，该第一开关以及该第三开关由导通状态切换至非导通状态，以及该第二开关由非导通状态切换至导通状态，其中该第二开关由非导通状态切换至导通状态的切换时间点晚于该第一开关以及该第三开关由导通状态切换至非导通状态的切换时间点。

6.根据权利要求5所述的存储器电路，还包含有：

一检测电路，耦接于该第二端点、第三端点以及该第二开关，用来依据该第二端点与该第三端点中至少一端点的电压电平，以产生一控制信号来控制该第二开关的导通状态。

7.根据权利要求6所述的存储器电路，其中该检测电路比较该第二端点与第三端点的电压电平来产生该控制信号。

8.根据权利要求7所述的存储器电路，其中当该检测电路检测到该第二端点的电压电平大于该第三端点的电压电平时，该检测电路产生该控制信号以将该第二开关由非导通状态切换至导通状态。

9.根据权利要求3所述的存储器电路，其中该第一开关以及该第三开关为互补金属氧化物半导体传输门，且该第一开关的N型井连接至该第三端点，且该第三开关的P型井连接至该第二端点。

10.根据权利要求1所述的存储器电路，其中该第一、第二存储器阵列均为静态随机存取存储器阵列。

11.一种控制一存储器电路的方法，该存储器电路包含有一第一存储器阵列以及一第二存储器阵列，该第一存储器阵列具有一第一端点以及一第二端点，该第二存储器阵列具有一第三端点以及一第四端点，该第一端点耦接于一第一供应电压，该第四端点耦接于小于该第一供应电压的一第二供应电压，该方法包含有：

当该存储器电路操作于一非运作模式时：

将该第二端点电性连接至该第三端点；

将该第二端点电性阻绝于该第二供应电压；以及

将该第三端点电性阻绝于该第一供应电压。

12.根据权利要求11所述的方法，还包含有：

当该存储器电路操作于一运作模式时：

将该第二端点电性阻绝于该第三端点；

将该第二端点电性连接至该第二供应电压；以及

将该第三端点电性连接至该第一供应电压。

13.根据权利要求12所述的方法，还包含有：

当该存储器电路自该非运作模式切换至该运作模式时，将该第二端点电性阻绝于该第三端点的时间点是早于该第二端点由电性连接至该第二供应电压的时间点，以及将该第二端点电性阻绝于该第三端点的时间点亦早于该第三端点电性连接至该第一供应电压的时间点。