[发明专利]具有改善的电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及

插入层，设置在所述电介质层与所述下金属层和所述上金属层中至少之一之间，

其中所述电介质层包括金属氧化物膜，所述插入层包括金属材料膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述插入层设置在所述电介质层与所述下金属层之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述插入层设置在所述电介质层与所述上金属层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述插入层设置在所述电介质层与所述下金属层之间以及所述电介质层与所述上金属层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物膜和所述金属材料膜的每个都独立地包括Li、Be、B、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Pb、Bi、Po、Fr、Ra和Ac中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述金属氧化物膜是MO_x的形式，其中M是金属，O是氧，x是约0.5至约4。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中用于形成所述插入层的所述金属材料膜的金属与用于形成所述电介质层的所述金属氧化物膜的金属相同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述插入层的所述金属材料膜是金属氧化物膜。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述插入层的所述金属材料膜是金属氮化物膜。