[发明专利]刚柔结合的组件和制造方法在审
| 申请号: | 201010002019.1 | 申请日: | 2010-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN101770959A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
| 发明(设计)人: | 安蒂·伊霍拉;图奥马斯·瓦里斯 | 申请(专利权)人: | 伊姆贝拉电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/48;H01L25/00;H01L23/498;H05K3/00;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;许向华 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 结合 组件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及刚柔结合型电路板和电子组件。刚柔结合型电路板包括至少一个柔性区(挠曲的)和至少一个较硬(刚性)区。就术语电子组件而言,指的是包括至少一个在绝缘体层内部的部件的电路板或一些其他对应的结构。
本发明还涉及用于制造前述电路板的方法。电路板可以例如是,单层或多层电路板、电子组件或一些其他对应的结构。
背景技术
在专利申请公开US 2008/0014768A1中公开了刚柔结合型电路板。
在专利申请公开US 2008/0149372A1中公开了使用表面安装技术将部件附着于其表面上的刚柔结合型电路板。在这之后,在柔性区处折叠电路板,因而形成包含相互重叠的部件的存储器电路组件。
在专利申请公开US 2008/0009096 A1中公开了刚柔结合型电路板和电子组件。
在专利申请公开US 2008/128886 A1中公开了刚柔结合型电路板和电子组件。
发明内容
本发明的目的是开发用于制造包括柔性区的电路板的新制造方法。
根据本发明的一个方面,产生了在柔性区中将柔性膜和牺牲材料的片附着于导体膜的制造方法。在导体膜的表面上制造容纳有牺牲材料的片的绝缘体层。以在绝缘体层中制作开口的方式来形成柔性区,通过该开口来移除牺牲材料的片。柔性区包括至少部分柔性膜和通过在方法中的适当阶段中构图导体膜来制作的导体。
借助该方法,可以制造很多不同类型的电路板。借助该方法,也可以制造要求的电路板结构,诸如多芯片封装和其他电子组件。根据本发明的另一方面,产生了包括至少一个柔性区的刚柔结合型电子组件。该电子组件包括至少一个由柔性膜支撑、在柔性区上伸展的导体的层。在柔性区的外部,该电子组件包括同样支撑所述导体的绝缘体层。在绝缘体层的内部是至少一个部件,在该部件的表面上的接触端面向所述导体并借助接触元件连接到所述导体。可以将电子组件制造为使得接触元件是由一个或更多金属层构成的一体化金属片,通过使用化学或电化学方法生长来制造每个金属层。
因而,产生了用于制作可以在某些应用中提供某些优点的新型电子组件的新型制造方法。
根据一个实施例,可以制造非常简单并且成本低的刚柔结合型电子组件,然而该电子组件提供了高质量的到一个或更多位于该电子组件内部的部件的电接触。
在实施例中,也可以在制造刚柔结合型封装时实现更高的封装密度。这是因为,借助通孔,在封装中不一定需要在导体层之间的Z方向上做出接触。这使得可以为封装实现小的XY方向表面面积,或者实现在给定面积内装入更多的导体。相应地,也可以在封装内以更高的连接密度嵌入一个或多个部件。
借助实施例,也可以缩短用于多层封装的制造工艺。
附图说明
图1示出了根据第一实施例的制造方法中的一个中间阶段。
图2示出了根据第一实施例的制造方法中的第二中间阶段。
图3示出了根据第一实施例的制造方法中的第三中间阶段。
图4示出了根据第一实施例的制造方法中的第四中间阶段。
图5示出了根据第一实施例的制造方法中的第五中间阶段。
图6示出了根据第一实施例的制造方法中的第六中间阶段。
图7示出了根据第一实施例的制造方法中的第七中间阶段。
图8示出了根据第一实施例的制造方法中的第八中间阶段或者一个可能的最终产品。
图9示出了根据第二实施例的制造方法中的一个中间阶段。
图10示出了根据第二实施例的制造方法中的第二中间阶段。
图11示出了根据第二实施例的制造方法中的第三中间阶段。
图12示出了根据第二实施例的制造方法中的第四中间阶段。
图13示出了根据第二实施例的制造方法中的第五中间阶段。
图14示出了根据第二实施例的制造方法中的第六中间阶段。
图15示出了根据第二实施例的制造方法中的第七中间阶段或者一个可能的最终产品。
图16示出了根据第三实施例的制造方法中的一个中间阶段。
图17示出了根据第三实施例的制造方法中的第二中间阶段。
图18示出了根据第三实施例的制造方法中的第三中间阶段。
图19示出了根据第三实施例的制造方法中的第四中间阶段。
图20示出了根据第三实施例的制造方法中的第五中间阶段。
图21示出了根据第三实施例的制造方法中的第六中间阶段。
图22示出了根据第三实施例的制造方法中的第七中间阶段或者一个可能的最终产品。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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