[发明专利]在晶圆上形成掺杂层的方法有效
| 申请号： | 201010000251.1 | 申请日： | 2010-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101777490A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 林宥朋;游伟明;邓端永;林俊男;董胜健;苏斌嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆上 形成 掺杂 方法 | ||
1.一种在晶圆上形成掺杂层的方法，包括：
提供一晶圆；
供应一掺杂物气体于一离子源的电弧室中；
供应一稀释物以稀释所述掺杂物气体，所述稀释物包含 48％至50％的氙分子和50％至52％的氢分子；
从使用所述离子源的稀释的所述掺杂物气体产生一离子 束；以及
将所述离子束射向该晶圆，以在所述晶圆上形成一掺杂 层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述稀释物包含98.4wt％ 的氙和1.6wt％的氢。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述稀释的掺杂物气体包 含介于20wt％至60wt％之间的所述掺杂物气体，以及介于 40wt％至80wt％之间的所述稀释物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述稀释的掺杂物气体包 含44wt％的所述掺杂物气体以及56wt％的所述稀释物。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掺杂物气体包含锗。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掺杂物气体包含一卤 素。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述掺杂物气体包含氟。
8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掺杂物气体包含四氟 化锗。
9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述稀释的掺杂物气体包 含44wt％的所述掺杂物气体以及56wt％的所述稀释物。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述掺杂物气体包含四氟 化锗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
