[发明专利]构成超导体的前体的金属组合件及适于制备超导体的方法

权利要求书

1.一种构成超导体的前体的金属组合件(1、35、71)，所述组合件包含至少一个适合在超导体成品中提供超导丝的导体元件(5、41、73)和至少一个提供掺杂源以掺杂所述导体元件(5、41、73)的掺杂元件(7、43、75)，其特征在于，所述组合件包含至少和导体元件(5、41、73)的数量一样多的设置在所述导体元件(5、41、73)外的掺杂元件(7、43、75)。

2.根据权利要求1的组合件，其特征在于，所述掺杂元件(7、43、75)包含NbTi-合金。

3.根据权利要求2的组合件，其特征在于，所述NbTi-合金的Ti含量为20-60重量％，其余为Nb和可能的残留杂质，优选所述NbTi-合金的Ti含量为40-50重量％，其余为Nb和可能的残留杂质。

4.根据前述权利要求中的任一项的组合件，其特征在于，对于至少大多数所述导体元件(5、41、73)，与各个导体元件(5、41、73)相邻地设置至少一个掺杂元件(7、43、75)。

5.根据权利要求4的组合件，其特征在于，对于至少大多数所述导体元件(41)，与各个导体元件(41)相邻并在所述各个导体元件(41)的两个不同方向上设置至少两个掺杂元件(43)。

6.根据权利要求4或5的组合件，其特征在于，所述组合件包含多个套筒元件(39、77)，所述套筒元件(39、77)设置为各包括一到七个导体元件(41、73)及与其相邻的掺杂元件(43、75)。

7.根据权利要求6的组合件，其特征在于，对于至少大多数所述套筒元件(39、77)，各个套筒元件(39、77)具有限定内部空心部的壁(45)，含在所述套筒(39、77)内的所述掺杂元件(43、75)位于所述套筒(39、77)的所述壁(45)与含在所述套筒(39、77)中的所述导体元件(41、73)之间。

8.根据权利要求7的组合件，其特征在于，所述组合件包括在铜套筒元件(39)内的至少三个绕导体元件(41)间隔开的掺杂元件(43)。

9.根据前述权利要求中的任一项的组合件，其特征在于，至少大多数所述导体元件(5、41、73)和掺杂元件(7、43、75)具有细长形状且横截面均匀，所述大多数掺杂元件(7、43、75)各自的横截面积小于或等于最靠近的导体元件(5、41、73)的横截面积的五分之一。

10.根据前述权利要求中的任一项的组合件，其特征在于，所述导体元件(5、41、73)包含Nb或Nb合金，所述掺杂元件(7、43、75)包含Ti作为掺杂物质。

11.根据前述权利要求中的任一项的组合件，其特征在于，至少大多数所述掺杂元件(7)包含含掺杂物质的掺杂芯(15)和包封所述掺杂芯(15)并适合阻挡所述掺杂物质在低于所需扩散温度的温度下扩散的扩散阻挡层(17)。

12.一种适用于制备超导体的方法，所述方法包括

-将至少一个导体元件(5、41、73)和至少一个掺杂元件(7、43、75)组装成构成超导体的前体的金属组合件，

其特征在于，所述方法还包括

-针对各个导体元件(5、41、73)组装至少一个掺杂元件(7、43、75)到所述金属组合件中并将所述掺杂元件(7、43、75)设置在所述导体元件(5、41、73)外。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于，所述方法包括

-对于至少大多数所述导体元件(5、41、73)，与各个导体元件(5、41、73)相邻地设置至少一个掺杂元件(7、43、75)。

14.根据权利要求13的方法，其特征在于，所述方法包括

-以与所述导体元件(5、41、73)相距小于或等于所述导体元件(5、41、73)的直径的距离来与各个导体元件(5、41、73)相邻地设置至少大多数所述掺杂元件(7、43、75)。

15.根据权利要求12-14中的任一项的方法，其特征在于，所述方法包括

-拉长所述掺杂元件(7、43、75)以便各掺杂元件(7、43、75)获得的横截面积小于最靠近的导体元件(5、41、73)的横截面积的五分之一。