[发明专利]半导体装置及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

贯通电极，将上述半导体基板沿厚度方向贯通而设置；

内部电极，设置在上述半导体基板的第1主面的、上述贯通电极到达的部分，与上述贯通电极电连接；

第1保护膜，将上述内部电极的一部分除外而覆盖上述第1主面；

第2保护膜，与上述第1保护膜离开而设置在上述内部电极的未被上述第1保护膜覆盖的部分；以及

金属布线，设置在上述半导体基板的与上述第1主面相反侧的第2主面，与上述贯通电极电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2保护膜的面积比上述贯通电极与上述内部电极接触的区域的面积大。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2保护膜的形状是圆形。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2保护膜的形状是多边形。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2保护膜的形状是圆环状，上述第2保护膜的外径比上述贯通电极与上述内部电极接触的区域的直径大，上述第2保护膜的内径比上述区域的上述直径小。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1保护膜及上述第2保护膜都是无机材料。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1保护膜是无机材料；

上述第2保护膜是有机材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体装置还具备第3保护膜，该第3保护膜设置在上述内部电极上，将上述第1保护膜与上述第2保护膜间的间隙的一部分填埋。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体装置还具备将上述金属布线的一部分除外而覆盖上述第2主面的绝缘层。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

上述半导体装置还具备外部电极，该外部电极设置在上述金属布线的未被上述绝缘层覆盖的部分，与上述金属布线电连接。

11.一种电子设备，其中，

将权利要求1所述的半导体装置的上述金属布线或上述外部电极与在布线基板的表面设置的布线电连接而成。

12.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

贯通电极，将上述半导体基板沿厚度方向贯通而设置；

内部电极，设置在上述半导体基板的第1主面的、上述贯通电极到达的部分，与上述贯通电极电连接；

保护膜，将上述内部电极的一部分除外而覆盖上述内部电极及上述第1主面；以及

金属布线，设置在上述半导体基板的与上述第1主面相反侧的第2主面，与上述贯通电极电连接；

在上述内部电极上，上述保护膜设有多个开口。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个开口设置在上述贯通电极与上述内部电极接触的区域的外侧。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个开口的形状是圆形。

15.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个开口的形状是多边形。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

上述多边形的角部是曲线形状。

17.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个开口具有圆弧状的轮廓。

18.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

在一个上述内部电极上，上述保护膜的上述开口至少有两处以上。

19.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

在上述内部电极上，在上述保护膜上设有另一个保护膜。

20.如权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，

上述另一个保护膜经由上述开口与上述内部电极接触。