[发明专利]用于闪存存储器中的软解映射和单元间干扰减轻的方法和设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2008年7月1日提交的美国临时专利申请序列号No.61/133,675、2008年7月3日提交的美国临时专利申请序列号No.61/133,921、2008年7月10日提交的美国临时专利申请序列号No.61/134,688、2008年7月22日提交的美国临时专利申请序列号No.61/135,732和2008年9月30日提交的美国临时专利申请序列号No.61/194,751的优先权，上述每一个专利申请通过引用被包含于此。

本申请涉及2009年3月11日提交的题为“Methods and Apparatus for Storing Data in a Multi-Level Cell Flash Memory Device with Cross-Page Sectors，Multi-Page Coding and Per-Page Coding”的国际专利申请序列号No.PCT/US09/36810，并且涉及题为“Methods and Apparatus for Read-Side Intercell Interference Mitigation in Flash Memories”的国际专利申请；题为“Methods and Apparatus for Write-Side Intercell Interference Mitigation in Flash Memories”的国际专利申请；题为“Methods and Apparatus for Interfacing Between a Flash Memory Controller and a Flash Memory Array”的国际专利申请；和题为“Methods and Apparatus for Intercell Interference Mitigation Using Modulation Coding”的国际专利申请，上述国际专利申请中的每一个都与本申请同时提交并且通过引用被包含于此。

技术领域

本发明总体上涉及闪存存储器器件，并且更具体地涉及改进的解映射技术以及用于减轻在这种闪存存储器器件中的单元间干扰、后样式依赖(back pattern dependency)、噪声和其它失真的影响的改进的技术。

背景技术

许多存储器器件(例如闪存存储器器件)使用模拟存储器单元来存储数据。每个存储器单元存储模拟值，也被称为存储值，例如电荷或电压。存储值表示存储在单元中的信息。在闪存存储器器件中，例如，每个模拟存储器单元典型地存储某一电压。对于每个单元的可能的模拟值的范围典型地被分成多个阈值区域，每个区域与一个或更多个数据位值对应。通过写入与期望的一个或更多个位对应的标称模拟值来将数据写到模拟存储器单元。

单电平单元(SLC)闪存存储器器件例如每个存储器单元存储一位(或两个可能的存储器状态)。另一方面，多电平单元(MLC)闪存存储器器件每个存储器单元存储两个或更多个位(即，每个单元具有四个或更多的可编程的状态)。对于MLC闪存存储器器件的更详细的讨论，参见，例如，2009年3月11日提交的题为“Methods and Apparatus for Storing Data in a Multi-Level Cell Flash Memory Device with Cross-Page Sectors，Multi-Page Coding and Per-PageCoding”的国际专利申请序列号No.PCT/US09/36810，其通过引用被包含于此。

在多电平NAND闪存存储器器件中，例如，使用具有在被分成多个区间的范围中的可编程阈值电压的浮栅器件，其中每个区间与不同的多位值对应。为了将给定的多位值编程到存储器单元中，在存储器单元中的浮栅器件的阈值电压被编程到与该值对应的阈值电压区间中。