专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于存储器器件的软数据生成的方法和装置-CN200980143076.7有效
  • E·F·哈拉特什;M·伊威科维克;V·克拉琦科夫斯基;N·米拉德诺维奇;A·维缇亚埃夫;C·威廉姆森;J·延 - LSI公司
  • 2009-09-30 - 2011-09-28 - G11C16/26
  • 提供了用于存储器器件的软数据生成的方法和装置。通过获得至少一个硬读取值;并且基于关于读取硬读取值的统计数据数据生成与至少一个硬读取值关联的软数据值,生成了关于存储器器件的至少一个软数据值。硬读取值可以是数据位、电压电平、电流水平和电阻水平中的一个或更多个。所生成的软数据值可以是如下中的一个或更多个:(i)用于生成一个或更多个对数似然比的软读取值;或者(ii)一个或更多个对数似然比。统计数据数据包括基于位的统计数据数据和基于单元的统计数据数据中的一个或更多个。统计数据数据还可以包括至少一个侵略者单元对目标单元的取决于模式的干扰以及位置特定的统计数据数据。通过获得软读取值;并且基于关于读取软读取值的统计数据数据生成与软读取值关联的软数据值,生成了关于存储器器件的至少一个软数据值,其中统计数据数据包括位置特定的统计数据数据和取决于模式的统计数据数据中的一个或更多个。
  • 用于存储器器件数据生成方法装置
  • [发明专利]用于存储装置的基于性能因素调节的软数据生成方法装置-CN200980138327.2无效
  • E·F·哈拉特什;J·延 - LSI公司
  • 2009-09-30 - 2011-08-31 - G11C16/26
  • 提供了基于性能因素调节的用于存储装置的软数据生成的方法和装置。通过如下步骤为存储装置产生至少一个软数据值:获得至少一个读取值;以及基于所获得的至少一个读取值和根据所述存储装置的一个或更多个性能因素的调节来产生软数据值。所述读取值可以包括例如数据比特、电压电平、电流等级、或者电阻等级。读取值可以是软数据或者硬数据。可能的性能因素包括耐久性、读取周期数、保持时间、温度、工艺角、单元间干扰影响、存储器阵列内的位置和侵略者单元图案。还可以考虑一个或更多个取决于图案的性能因素和/或特定于位置的性能因素。所产生的软数据值可以是用于产生一个或更多个对数似然比的软读取值,或者可以是对数似然比本身。
  • 用于存储装置基于性能因素调节数据生成方法
  • [发明专利]用于在闪存存储器控制器和闪存存储器阵列之间接口的方法和设备-CN200980132504.6有效
  • J·延 - LSI公司
  • 2009-06-30 - 2011-07-20 - G11C16/10
  • 提供了用于在闪存存储器控制器和闪存存储器阵列之间接口的方法和设备。所述接口包括在所述闪存存储器控制器和所述闪存存储器阵列之间的通信通道,其中所述通信通道在时钟信号的第一边沿承载对于所述闪存存储器阵列中的目标单元的数据,并且其中所述通信通道在所述时钟信号的第二边沿承载对于所述目标单元的额外的信息。对于示例性写访问,所述额外的信息包括例如关于与所述目标单元关联的一个或更多个入侵单元的信息。对于示例性读访问,所述额外的信息包括例如在所述第一边沿发送的对于所述目标单元的所述数据的软信息。
  • 用于闪存存储器控制器阵列之间接口方法设备

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