[发明专利]用于沉积含过渡金属的膜的杂配型环戊二烯基过渡金属前体

权利要求书

1.一种在基板上形成含金属的膜的方法，其包含：

a)提供反应器及至少一个安置于其中的基板；

b)将含金属的前体引入该反应器中，其中含金属的前体包含具有以下通式的前体：

M(R₁-N-C(R₂)＝N-R₃)_n(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)_mL_k  (I)其中：

-M为至少一个选自由以下组成的组的成员：Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Pd、Pt、Ag、Au、Ru、Os、Rh、Ir及Re；

-(R₁-N-C(R₂)＝N-R₃)为脒或胍配体；

-(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)为经取代或未经取代的环戊二烯基配体；

-R₁、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇及R₈是独立地选自H、C₁-C₅烷基及Si(R′)₃，其中R′是独立地选自H及C₁-C₅烷基；

-R₂是独立地选自H、C₁-C₅烷基及NR′R″，其中R′及R″是独立地选自C₁-C₅烷基；

-L为中性配体；

-1≤m≤4；

-1≤n≤4；且

-0≤k≤5；

c)将该反应器维持于至少100℃的温度下；及

d)使该前体与该基板接触以形成含金属的膜。

2.如权利要求1的方法，其中含金属的前体包含具有以下通式的前体：

M(R₁-N-C(R₂)＝N-R₃)_n(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)_mL_k  (I)其中：

-M为至少一个选自由以下组成的组的成员：Ni、Co及Ru；

-(R₁-N-C(R₂)＝N-R₃)为双异丙基乙脒基，其中R₁＝R₃＝异丙基且R₂＝甲基；

-(R₄R₅R₆R₇R₈Cp)为甲基环戊二烯基，其中R₄＝Me且R₅＝R₆＝R₇＝R₈＝H；或四甲基环戊二烯基，其中R₄＝H且R₅＝R₆＝R₇＝R₈＝Me；

-m＝n＝1；且

-k＝0。

3.如权利要求1的方法，其进一步包含将该反应器维持于约100℃至约500℃之间的温度下。

4.如权利要求3的方法，其进一步包含将该反应器维持于约150℃与约350℃之间的温度下。

5.如权利要求1的方法，其进一步包含将该反应器维持于约1Pa与约10⁵Pa之间的压力下。

6.如权利要求5的方法，其进一步包含将该反应器维持于约25Pa与约10³Pa之间的压力下。