[发明专利]用于化学气相沉积反应器的方法和设备

权利要求书

1.一种化学气相沉积反应器，包括：

盖组件，其具有主体；

轨道组件，其具有主体和导引路径，所述导引路径沿着所述主体的纵轴设置，其中所述盖组件的所述主体和所述轨道组件的所述主体结合在一起，以在其间形成间隙，所述间隙配置为容纳基体；以及

加热组件，其包括多个加热灯，所述加热灯沿着所述轨道组件配置，并可操作为在所述基体沿着所述导引路径移动时加热所述基体。

2.如权利要求1所述的反应器，还包括轨道组件支撑件，其中所述轨道组件配置在所述轨道组件支撑件中。

3.如权利要求1所述的反应器，其中所述轨道组件的所述主体包括：

气体空腔，其位于所述主体的纵轴内部并沿着所述主体的纵轴延伸；以及

多个口，其从所述气体空腔延伸至所述导引路径的上表面，并配置为沿着所述导引路径提供气体缓冲。

4.如权利要求3所述的反应器，其中所述轨道组件的所述主体包括石英。

5.如权利要求1所述的反应器，其中所述盖组件的所述主体包括配置为提供对所述导引路径的流体连通的多个口。

6.如权利要求1所述的反应器，其中所述加热组件可操作为维持在整个所述基体上的温度差，其中所述温度差小于10摄氏度。

7.如权利要求1所述的反应器，其中所述化学气相沉积反应器为大气压化学气相沉积反应器。

8.一种化学气相沉积系统，包括：

入口隔离器，其可操作为防止污染物在所述系统的入口处进入所述系统；

出口隔离器，其可操作为防止污染物在所述系统的出口处进入所述系统；

中间隔离器，其配置在所述入口隔离器和所述出口隔离器之间；

第一沉积区，其配置为邻接所述入口隔离器；以及

第二沉积区，其配置为邻接所述出口隔离器，其中所述中间隔离器配置在所述沉积区之间，并可操作为防止所述第一沉积区和所述第二沉积区之间的气体混合。

9.如权利要求8所述的系统，其中气体以第一流速被注入所述入口隔离器，以防止来自所述第一沉积区的气体的逆扩散。

10.如权利要求8所述的系统，其中气体以第一流速被注入所述中间隔离器，以防止所述第一沉积区和所述第二沉积区之间的气体逆混合。

11.如权利要求8所述的系统，其中气体以第一流速被注入所述出口隔离器，以防止污染物在所述系统的所述出口处进入所述系统。

12.如权利要求8所述的系统，还包括排气装置，所述排气装置配置为邻接每个隔离器，并可操作为排出由所述隔离器注入的气体。

13.如权利要求8所述的系统，还包括排气装置，所述排气装置配置为邻接每个沉积区，并可操作为排出被注入所述沉积区中的气体。

14.一种化学气相沉积系统，包括：

外壳；

轨道，其被所述外壳环绕，其中所述轨道包括适于将基体导引通过所述化学气相沉积系统的导引路径；以及

基体运载装置，其用于沿着所述导引路径移动所述基体，其中所述轨道可操作为使所述基体运载装置沿着所述导引路径浮动。

15.如权利要求14所述的系统，其中所述轨道包括可操作为给所述导引路径提供气体缓冲的多个开口。

16.如权利要求15所述的系统，其中所述气体缓冲被施加至所述基体运载装置的底表面，以从所述轨道的底板提升所述基体运载装置。

17.如权利要求14所述的系统，其中所述轨道包括导管，所述导管沿着所述导引路径配置，并可操作为基本上沿着所述轨道的所述导引路径将所述基体运载装置置中。

18.如权利要求17所述的系统，其中气体缓冲通过所述导管被提供给所述基体运载装置的底表面，以基本上从所述轨道的底板提升所述基体运载装置。

19.如权利要求14所述的系统，其中所述轨道是倾斜的，以允许所述基体从所述导引路径的第一端移动至所述导引路径的第二端。

20.如权利要求14所述的系统，还包括加热组件，所述加热组件包括多个加热灯，所述加热灯沿着所述轨道配置，并可操作为在所述基体沿着所述导引路径移动时加热所述基体。