[发明专利]AlxGa(1-x)As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法

权利要求书

1.一种具有Al_xGa_(1-x)As层(0≤x≤1)的Al_xGa_(1-x)As衬底，所述Al_xGa_(1-x)As层具有主面和在所述主面相反侧的背面；所述Al_xGa_(1-x)As衬底的特征在于，

在所述Al_xGa_(1-x)As层中，所述背面中Al的组成比x大于所述主面中Al的组成比x。

2.如权利要求1所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，其中：

所述Al_xGa_(1-x)As层含有多个薄层；以及

所述多个薄层的各个薄层中Al的组成比x沿着自所述Al_xGa_(1-x)As层的背面侧的平面至其主面侧的平面的方向单调下降。

3.如权利要求1或2所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，还具有与所述Al_xGa_(1-x)As层的所述背面接触的GaAs衬底。

4.一种红外LED用外延晶片，所述外延晶片具有：

权利要求1～3中任一项所述的Al_xGa_(1-x)As衬底；和

在所述Al_xGa_(1-x)As层的所述主面上形成的且包含有源层的外延层。

5.如权利要求4所述的红外LED用外延晶片，其中在外延层的与所述Al_xGa_(1-x)As层接触的平面中Al的组成比x大于在Al_xGa_(1-x)As层的与所述外延层接触的平面中Al的组成比x。

6.一种红外LED用外延晶片，所述外延晶片具有：

权利要求1或2所述的Al_xGa_(1-x)As衬底；

在所述Al_xGa_(1-x)As层的所述主面上形成的且包含有源层的外延层；

在所述外延层的与所述Al_xGa_(1-x)As层接触的平面相反侧的所述主面上形成的粘附层；以及

通过所述粘附层接合到所述外延层的所述主面的支持衬底。

7.如权利要求6所述的红外LED用外延晶片，其中所述粘附层和所述支持衬底是导电材料。

8.如权利要求6或7所述的红外LED用外延晶片，其中所述支持衬底由包含选自硅、砷化镓和碳化硅中的至少一种物质的材料构成。

9.如权利要求6～8中任一项所述的红外LED用外延晶片，还具有在所述粘附层和所述外延层之间形成的导电层和反射层，其中：

所述导电层相对于所述有源层发射的光是透明的；以及

所述反射层由反射光的金属材料制成。

10.如权利要求9所述的红外LED用外延晶片，其中所述导电层由包含选自氧化铟和氧化锡的混合物、含铝原子的氧化锌、含氟原子的氧化锡、氧化锌、硒化锌和氧化镓中的至少一种物质的材料构成。

11.如权利要求9或10所述的红外LED用外延晶片，其中所述反射层由包含选自铝、金、铂、银、铜、铬和钯中的至少一种物质的材料构成。

12.如权利要求6所述的红外LED用外延晶片，其中所述粘附层相对于所述外延层和所述支持衬底具有粘性，且所述粘附层为能透过所述有源层发射的光的透明胶粘性材料。

13.如权利要求12所述的红外LED用外延晶片，其中所述粘附层由包含选自聚酰亚胺树脂、环氧树脂、有机硅树脂和全氟环丁烷中的至少一种物质的材料构成。

14.如权利要求12或13所述的红外LED用外延晶片，其中所述支持衬底为能透过所述有源层发射的光的透明基板。