[实用新型]高密度接点的无引脚集成电路元件无效
申请号: | 200920132351.2 | 申请日: | 2009-06-04 |
公开(公告)号: | CN201655791U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 李同乐 | 申请(专利权)人: | 李同乐 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 中国香港山顶马*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高密度 接点 引脚 集成电路 元件 | ||
1.一种无引脚集成电路元件,包括:
金属引线框,所述金属引线框有顶面和底面,并包括大量从顶面延伸到底面的端点,每个所述端点都包括位于顶部表面的焊接区、位于底面的接点区和一连接两者的金属轨迹线;
IC芯片,所述IC芯片安装在金属引线框的顶面,并包括大量焊接盘;
大量引线,所述每根引线都与一焊接区及一焊接盘连接;
封装材料,其覆盖所述IC芯片、所述大量引线和所述大量端点中每个端点的至少一部分;
其特征在于,所述大量端点的接点区没有被封装材料完全封装;
所述大量端点中至少有一个端点包括电连接到焊接区的金属轨迹线,该焊接区从接点区横向延伸。
2.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,至少有一个所述端点包括金属轨迹线,该金属轨迹线在位于IC芯片下方的接点区和位于IC芯片周边的焊接区之间形成电连接。
3.根据权利要求2所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,包括位于金属轨迹线和IC芯片之间的粘合层。
4.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,从接点区横向延伸的焊接区是以下列方式中的一种或多种方式实现的:相对于IC芯片,从接点区向外排布;相对于IC芯片,从接点区向内排布;排布在与IC芯片边缘平行的位置。
5.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所述至少一个端点上焊接区的表面积小于连接到焊接区的接点区的表面积。
6.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所述大量端点中第一端点焊接区和所述大量端点中第二端点焊接区的中心距小于所述第一端点接点区和所述第二端点接点区的中心距。
7.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,包括:
所述大量端点中的第一端点,所述第一端点有一连接到第一接点区的第一焊接区,所述接点区直接位于其底面;
所述大量端点中的第二端点,所述第二端点有一连接到第二接点区的第一焊接区,所述接点区直接位于其底面;
所述大量端点中的第三端点,所述第三端点有一连接到第三接点区的第一焊接区;
第三焊接区位于第一焊接区和第二焊接区之间;且
所述第三接点区在第一接点区和第二接点区之间区域横向延伸。
8.根据权利要求7所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,包括:
所述大量端点中的第四端点;所述第四端点有一连接到第四接点区的第四焊接区;
所述第四焊接区位于第一焊接区和第二焊接区之间;且
所述第四接点区在第一接点区和第二接点区之间区域横向延伸。
9.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,包括:
所述大量端点中的第一端点,所述第一端点有一第一接点区;
所述大量端点中的第二端点,所述第二端点有一与第一接点区邻近的第二接点区;以及
所述大量端点中的第三端点,所述第三端点有一从第一接点区延伸到第二接点区的金属轨迹线。
10.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所述金属引线框的底面被蚀刻后与封装材料底面贴合。
11.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所述金属引线框的底面被蚀刻后与封装材料底面部分贴合。
12.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所述金属引线框的底面位于封装材料内部的部分被蚀刻移除。
13.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所述金属轨迹线的底面位于封装材料内部的部分被蚀刻移除。
14.根据权利要求1所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,包括:
金属镀层,所述金属镀层位于所述焊接区中至少一个的顶面;且
金属引线框位于金属镀层下的部分被蚀刻移除。
15.根据权利要求14所述的无引脚集成电路元件,其特征在于,所有的位于金属镀层下的金属引线框被蚀刻移除。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李同乐,未经李同乐许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920132351.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。