[发明专利]化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在固态基底表面，进而制得固体材料的工艺技术。

化学气相沉积设备在化学气相沉积制程中起着重要作用，它直接影响着沉积薄膜的均匀性与纯度，薄膜颗粒大小一致性以及沉积薄膜速率等。化学气相沉积设备通常包括进气装置、抽气装置以及反应器，该反应器内设置有用于放置基板的载具。使用时，进气装置将混合气体通入反应器，混合气体充满整个反应器，混合气体在光源或热源等作用下发生反应沉积在基板表面，从而在基板表面生成一层薄膜。然而，现有化学气相沉积设备中混合气体由进气装置自设在反应器一端的气体输入口输入，自另一端被抽气装置抽出，整个反应器中的气体仅有一个气体输入口输入，使得反应器内的气体密度很难保持均匀，导致基板上形成的膜厚不均匀。

发明内容

鉴在上述状况，有必要提供一种薄膜沉积均匀的化学气相沉积设备。

一种化学气相沉积装置，其包括反应器、与反应器连接的进气装置及抽气装置，该反应器内设置有承载装置，所述进气装置包括多个分布在反应器内的气体喷嘴。

该化学气相沉积设备通过设置多个气体喷嘴使反应气体由多个气体喷嘴输入，反应气体在反应器中的分布较为均匀，从而使化学气相沉积所形成的薄膜的厚度较均匀。

附图说明

图1为本发明实施方式的化学气相沉积设备的立体组装图。

图2为图1的化学气相沉积设备的立体分解图。

图3为图1的化学气相沉积设备另一角度的立体分解图。

图4为图1的化学气相沉积设备的进气装置的立体分解图。

主要元件符号说明

具体实施方式

下面结合实施方式对本发明的化学气相沉积设备作进一步详细说明。

请参阅图1至图3，本发明实施方式的化学气相沉积设备100包括反应器10、设在反应器10内的承载装置20、与反应器10连接的进气装置30及抽气装置40。

反应器10包括主体101、与主体101配合的盖体102及设置在主体101外的第一光源103。主体101基本为圆柱状空腔体，其具有底壁1011及自底壁1011边缘延伸的套筒1012。底壁1011上开设有第一通孔1013、第二通孔1014及第三通孔1015。第一通孔1013大体设在底壁1011中心，第二通孔1014及第三通孔1015的分别有两个，分布在第一通孔1013周围。套筒1012的两端均开设有通光孔1016，通光孔1016与设于第一光源103的光线通道1031相通，第一光源103的光线可通过光线通道1031及通光孔1016进入反应器10。本实施方式中，第一光源103为水银灯。盖体102开设有圆形凹槽1021及与凹槽1021连通的通孔1022。主体101远离底壁1011一端收容于盖体102的凹槽1021。

承载装置20设在反应器10内。承载装置20包括底座201、承载件202及抽气管203。底座201大体为盘状，底座201开设有环状的滑槽2011、螺孔2012及分别与第二通孔1014及第三通孔1015对应的通孔2013、2014。承载件202大体为棱柱状空腔体，其包括依次相连的多个侧壁2021。本实施方式中，侧壁2021共有六个，承载件202的横截面为正六边形。每一侧壁2021开设有一吸附槽2022。承载件202的一端设有滚轮2023，滚轮2023可沿滑槽2011滑动使承载件202相对底座201可转动。抽气管203设于承载件202远离滚轮2023的一端，并与吸附槽2022相通。通过抽气设备对抽气管203抽气进而对吸附槽2022抽气可将需要进行化学气相沉积处理的基板吸附至侧壁2021。本实施方式中抽气设备为设在盖体102上的抽气泵204，抽气泵204与抽气管203相连。

请参阅图4，进气装置30设在承载装置20的承载件202内，进气装置30包括支撑件301、进气管302、气体喷嘴303、加热组件304、第二光源305、光源导出件306及遮蔽组件307。

支撑件301大体为柱状，具有底壁(图未标)、与底壁平行的顶壁3011及连接顶壁3011与底壁的多个侧壁3012。顶壁3011开设有与侧壁3012形成的收容空间相通的容置孔3013。底壁固设有螺柱3014，其用于与螺孔2012配合将支撑件301固定至底座201。