[发明专利]导电膜的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电膜的制作方法。

背景技术

纳米碳管是一种由碳原子组成、直径为纳米等级的中空管状物，随着纳米碳管的长度、直径及螺旋方式的变化，纳米碳管可呈现出金属性质或半导体性质，由于纳米碳管的优异特性，因此可望在许多不同技术领域中发挥重要作用。

目前制造纳米碳管的方法主要有电弧放电法(Arc-discharge Method)、激光烧蚀法(Laser Ablation Method)及化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)等，以化学气相沉积法为例进行说明，其是在一近似圆形的晶圆基板上形成一层催化剂，再将纳米碳管沉积在催化剂上，而得一纳米碳管层。

请参阅图1A及图1B，图1A是一种现有技术的布满纳米碳管层的晶圆基板的示意图，图1B是一种现有技术的纳米碳管膜的示意图。若要将晶圆基板10上的纳米碳管层12自晶圆基板10上移出而得一纳米碳管膜14，需进行拉膜作业，其是先用激光分别沿直线A、B进行烧蚀，使纳米碳管层12的位于a区域中的部分与纳米碳管层12的位于b区域中的部分间形成一烧蚀间隙，以及纳米碳管层12的位于b区域中的部分与纳米碳管层12的位于c区域中的部分间形成另一烧蚀间隙，接着以直线C作为b区域与d区域的分界，并清除纳米碳管层12的位于d区域中的纳米碳管，之后使用一导引尺沾粘b区域中位于直线C处的纳米碳管，并朝D方向移动，即可拉伸b区域中的纳米碳管，而形成纳米碳管膜14，纳米碳管膜14的外形与b区域的外形约一致，具有一呈弧形的侧边16。

请再参阅图1A，由于在生长纳米碳管时，纳米碳管布满整个晶圆基板10，但最后可被利用的只有区域b中的纳米碳管，区域a、c及d中的纳米碳管都无法被使用，因此产生浪费材料及增加成本的问题。另，由于目前市面上的显示装置大部分呈矩形，因此纳米碳管膜14必须被先被裁掉弧形侧边16所界定的区域e，使呈矩形后，才可进一步依所需应用的显示装置的尺寸而进行处理，因此也造成了材料的浪费。

发明内容

为解决现有技术所生成的纳米碳管在利用时存在材料浪费和成本增加的问题，本发明提供一种可减少材料浪费和成本的导电膜的制作方法。

一种导电膜的制作方法，包括：提供一基板，该基板具有相对的两个平直侧边、一连接该些平直侧边的第一侧边及一连接该些平直侧边且与该第一侧边相对的第二侧边；在该基板上形成一膜层结构；以及经由该基板的该第一侧边拉出该基板上的该膜层结构而产生一导电膜，该膜层结构由多个纳米单元物质所组成。

在本发明的一实施方式中，该膜层结构布满该基板，该导电膜的外形与该基板的外形约一致。

在本发明的一实施方式中，该第一侧边为一直线。

在本发明的一实施方式中，该第一侧边及第二侧边都为一直线，使该基板为矩形。

本发明的该基板至少具有相对的该两个平直侧边，且该导电膜是经由该基板的连接该些平直侧边的该第一侧边被拉出，因此在该基板上形成该膜层结构后，进行拉膜作业时，不需如现有技术使用激光烧蚀来切出烧蚀间隙并舍弃一些区域中的该些纳米碳管，因此简化了作业步骤，并且也节省了材料。

附图说明

图1A是一种现有技术的布满奈米碳管层的晶圆基板的示意图。

图1B是一种现有技术的奈米碳管膜的示意图。

图2为本发明的第一实施方式的基板的示意图。

图3为本发明的第二实施方式的基板的示意图。

图4为本发明的第三实施方式的基板的示意图。

图5为本发明的导电膜的制作方法的流程图。

图6为本发明的制膜设备的成膜装置的示意图。

具体实施方式

请参照图2，图2为本发明基板的第一实施方式的示意图。本实施方式的基板20的材料包括含硅材料，例如为多孔硅或二氧化硅，用以在其上形成一膜层结构22，膜层结构22布满基板20并由多个纳米单元物质所组成，纳米单元物质例如为纳米碳管，在基板20上形成膜层结构22的方法例如可为电弧放电法(Arc-discharge Method)、激光烧蚀法(Laser AblationMethod)及化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)等，当膜层结构22被拉伸时，由于膜层结构22中的这些纳米单元物质间的凡得瓦力影响，因而可形成一导电膜，该导电膜具有导电异向性。