[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明专利申请是国际申请号为PCT/JP2004/014412，国际申请日为2004年9月24日的PCT国际申请进入中国国家阶段后的申请，申请号为200480027991.7，发明名称为“发光元件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。 

发明背景 

发明领域

本发明涉及发光元件，其结构为在一对电极之间夹有多个层。更具体的，本发明涉及层的结构，该层可以是在多个层中的至少一层。 

相关技术 

利用电致发光元件(发光元件)发射光的发光装置作为显示设备或照明设备受到了很多关注。 

作为用作发光装置的发光元件，在一对电极之间穿插有含发光化合物的层的发光元件是公知的。 

在这种发光元件中，其中一个电极用作阳极，另一个用作阴极，从阳极注入的空穴以及从阴极注入的电子相互重组形成分子激发子，分子激发子在回到基态时辐射光能。 

近年来快速发展的安装在各种信息加工设备中的显示装置，它在低能耗方面的要求越来越高。为了获得低能耗，人们试图降低驱动发光元件的电压。考虑到商业化，不仅是降低驱动发光元件的电压很重要，延长发光装置的使用寿命也十分重要。因此，开发了发光装置来获得低能耗及长使用寿命。 

例如，未审核专利公开No.9-63771披露了通过由具有很大功函的金属氧化物如氧化钼形成阳极降低发光元件驱动电压的例子。而且，还可以延长发光元件的使用寿命。 

未审核专利公开No.9-63771中披露的延长发光元件使用寿命的方法是不够的，因此要求开发工艺获得更长的使用寿命。 

发明内容

本发明的目标在于提供一种在低压下工作并且使用寿命比传统发光元件更长的发光元件，以及这种发光元件的制造方法。 

根据本发明的一个方面，发光元件在一对电极之间的多个层，并且这些多个层中至少一层含有一种杂化材料(复合材料)，该杂化材料包含无机化合物，选自半导体氧化物、金属氧化物以及具有高空穴传输性能的有机化合物。 

组成多个层的各层分别是由具有高载流子注入性能的物质、具有高载流子传输性能的物质等形成的层，因此发光区域远离电极。 

这种发光元件能抑制含有一种选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有高空穴输运性能的化合物的层的结晶。这样就可以延长发光元件的使用寿命。 

尽管不限制于这里列出的物质，但可以使用的半导体氧化物以及金属氧化物的具体例子包括氧化钼(MoOx)、氧化钒(VOx)、氧化钌(RuOx)、氧化钨(WOx)等。另外，也可以使用氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)以及氧化锡(SnO)。还可以使用除了前述物质以外的物质。 

尽管不限于这里说明的物质，作为具有高空穴输送性质的化合物，可以选用4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(缩写α-NPO)、芳香族胺化合物(即带有苯环和氮原子之间的键的化合物)例如4，4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(缩写TPD)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(缩写TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯胺(缩写MTDATA)。也可以使用上述物质以外的其它物质。 

根据本发明的一方面，发光元件包含在一对电极之间的多个层，多个层中至少有一层含有选自半导体氧化物及金属氧化物的化合物、具有高空穴输送性质的化合物以及具有高位阻的化合物的一种化合物。 

与前面提及的发光元件相同，所述多个层是分别由具有高载流子注入性能的物质、具有高载流子输送性质的物质等形成的层，因此这些发光区域远离电极。 

这类发光元件中含有一层包含一种化合物的层，所述化合物选自半导体氧化物及金属氧化物的化合物、具有高空穴输送性质的化合物以及具有高位阻的化合物，这种发光元件能抑制层的结晶。因此，可以延长发光元件的使用寿命。 

半导体氧化物、金属氧化物以及具有高空穴输送性质的化合物与上述提及的相同。 

作为具有高位阻的化合物(即化合物具有与平面结构相反的空间性)，优选5，6，11，12-四苯基并四苯(缩写红荧烯)。除此之外，还可以使用六苯基苯、二苯基蒽、叔丁基苝、9，10-二(苯基)蒽、香豆素545T等。另外，也可以使用树枝状聚合物(dendrimer)等。