[发明专利]发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910266837.X 申请日: 2004-09-24
公开(公告)号: CN101771135A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 池田寿雄;坂田淳一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.安装有具有发光元件的发光装置的照明系统,所述发光元件包含:

第一电极,

在所述第一电极上的第一层,以及

在所述第一层上的第二电极,

其中,所述第一层含有混合在所述第一层中的芳香胺化合物和无机 化合物,

其中,所述无机化合物是氧化钼。

2.根据权利要求1的照明系统,

其中,所述芳香胺化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的。

3.根据权利要求1的照明系统,

其中,所述第一层具有40nm至160nm的膜厚度。

4.根据权利要求1的照明系统,

其中,所述芳香胺化合物是4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]- 联苯,

其中,在所述第一层中形成所述芳香胺化合物和所述无机化合物的 电荷转移络合物。

5.根据权利要求1的照明系统,

其中,所述发光装置发出单色光。

6.安装有具有发光元件的发光装置的照明系统,所述发光元件包含:

第一电极,

在所述第一电极上并与所述第一电极接触的第一层,以及

在所述第一层上的第二电极

其中,所述第一层含有混合在所述第一层中的芳香胺化合物和无机 化合物,

其中,所述无机化合物选自氧化钼,氧化钒和氧化钌。

7.根据权利要求6的照明系统,

其中,所述无机化合物是氧化钼。

8.根据权利要求6的照明系统,

其中,所述第一电极是阳极。

9.根据权利要求6的照明系统,

其中,所述第一电极包含金属,

其中,所述第二电极具有透光性,当将电压施加在所述第一电极和 所述第二电极之间时通过所述第二电极提取光。

10.根据权利要求6的照明系统,

其中,所述第一层具有40nm至160nm的膜厚度。

11.根据权利要求6的照明系统,还包含第二层,

其中,所述第二层在第一层上形成并与所述第一层接触,

其中,所述第二层含有芳香胺化合物。

12.根据权利要求6的照明系统,还包含第二层和发光层,

其中,所述第二层在第一层上形成并与所述第一层接触,

其中,所述发光层在第二层上形成并与所述第二层接触,

其中,所述第二层含有芳香胺化合物,

其中,所述发光层含有发光物质。

13.根据权利要求6的照明系统,

其中,所述芳香胺化合物是4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]- 联苯,

其中,在所述第一层中形成所述芳香胺化合物和所述无机化合物的 电荷转移络合物。

14.根据权利要求6的照明系统,

其中,所述发光装置发出单色光。

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