[发明专利]发光元件及其制造方法有效
申请号: | 200910266837.X | 申请日: | 2004-09-24 |
公开(公告)号: | CN101771135A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 池田寿雄;坂田淳一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.安装有具有发光元件的发光装置的照明系统,所述发光元件包含:
第一电极,
在所述第一电极上的第一层,以及
在所述第一层上的第二电极,
其中,所述第一层含有混合在所述第一层中的芳香胺化合物和无机 化合物,
其中,所述无机化合物是氧化钼。
2.根据权利要求1的照明系统,
其中,所述芳香胺化合物具有10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的。
3.根据权利要求1的照明系统,
其中,所述第一层具有40nm至160nm的膜厚度。
4.根据权利要求1的照明系统,
其中,所述芳香胺化合物是4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]- 联苯,
其中,在所述第一层中形成所述芳香胺化合物和所述无机化合物的 电荷转移络合物。
5.根据权利要求1的照明系统,
其中,所述发光装置发出单色光。
6.安装有具有发光元件的发光装置的照明系统,所述发光元件包含:
第一电极,
在所述第一电极上并与所述第一电极接触的第一层,以及
在所述第一层上的第二电极
其中,所述第一层含有混合在所述第一层中的芳香胺化合物和无机 化合物,
其中,所述无机化合物选自氧化钼,氧化钒和氧化钌。
7.根据权利要求6的照明系统,
其中,所述无机化合物是氧化钼。
8.根据权利要求6的照明系统,
其中,所述第一电极是阳极。
9.根据权利要求6的照明系统,
其中,所述第一电极包含金属,
其中,所述第二电极具有透光性,当将电压施加在所述第一电极和 所述第二电极之间时通过所述第二电极提取光。
10.根据权利要求6的照明系统,
其中,所述第一层具有40nm至160nm的膜厚度。
11.根据权利要求6的照明系统,还包含第二层,
其中,所述第二层在第一层上形成并与所述第一层接触,
其中,所述第二层含有芳香胺化合物。
12.根据权利要求6的照明系统,还包含第二层和发光层,
其中,所述第二层在第一层上形成并与所述第一层接触,
其中,所述发光层在第二层上形成并与所述第二层接触,
其中,所述第二层含有芳香胺化合物,
其中,所述发光层含有发光物质。
13.根据权利要求6的照明系统,
其中,所述芳香胺化合物是4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]- 联苯,
其中,在所述第一层中形成所述芳香胺化合物和所述无机化合物的 电荷转移络合物。
14.根据权利要求6的照明系统,
其中,所述发光装置发出单色光。
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