[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：具有第一n型金属绝缘体半导体阈 值电压的第一n型金属绝缘体半导体晶体管；和具有第二n型金属绝 缘体半导体阈值电压的第二n型金属绝缘体半导体晶体管，其中，

所述第一n型金属绝缘体半导体晶体管具有：设在半导体衬底上 的第一n型金属绝缘体半导体沟道区域；设在所述第一n型金属绝缘 体半导体沟道区域上且含有镧和镁中的至少一种金属的第一n型金 属绝缘体半导体高介电常数膜；以及设在所述第一n型金属绝缘体半 导体高介电常数膜上的第一n型金属绝缘体半导体金属电极，

所述第二n型金属绝缘体半导体晶体管具有：设在半导体衬底上 的第二n型金属绝缘体半导体沟道区域；设在所述第二n型金属绝缘 体半导体沟道区域上的第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜；以 及设在所述第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜上的第二n型金 属绝缘体半导体金属电极，

其中，所述第二n型金属绝缘体半导体阈值电压的绝对值大于所 述第一n型金属绝缘体半导体阈值电压的绝对值，所述第二n型金属 绝缘体半导体高介电常数膜中的镧原子浓度与镁原子浓度之和小于 所述第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜中的镧原子浓度与镁 原子浓度之和，

所述第一n型沟道区域和所述第二n型沟道区域的各n型沟道区 域中的杂质浓度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜和所述第二n型金 属绝缘体半导体高介电常数膜是铪系绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜中既不合镧也不 含镁。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜中既不含镧也不 含镁。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的半导体器件，其中：

所述第一n型金属绝缘体半导体金属电极和所述第二n型金属绝 缘体半导体金属电极由同一种材料制成。

6.根据权利要求1至4中任何一项所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件是具有用于存储信息的多个单元部、以及外围 电路部的静态随机存取存储器装置，其中，所述外围电路部分别与 所述多个单元部电连接且对所述多个单元部进行信息的读写；

所述外围电路部包括所述第一n型金属绝缘体半导体晶体管，所 述单元部包括所述第二n型金属绝缘体半导体晶体管。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件是具有用于存储信息的多个单元部、以及外围 电路部的静态随机存取存储器装置，其中，所述外围电路部分别与 所述多个单元部电连接且对所述多个单元部进行信息的读写；

所述外围电路部包括所述第一n型金属绝缘体半导体晶体管，所 述单元部包括所述第二n型金属绝缘体半导体晶体管。