[发明专利]金属膜堆叠的制造方法及包含该金属膜堆叠的集成电路

权利要求书

1.一种在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其包括：

在一内连线结构上直接沉积一金属层，该内连线结构包括设置于一层间介电质中的多个导电插塞；以及

在该金属层上直接沉积一抗反射涂布层。

2.如权利要求1所述的在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其中该金属层为铝与铜的合金。

3.如权利要求1所述的在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其中该抗反射涂布层包括氮化钛。

4.如权利要求1所述的在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其还包括：

在该抗反射涂布层上形成一图案化光阻层；以及

进行一金属蚀刻步骤，以移除部分该抗反射涂布层及部分该金属层。

5.如权利要求4所述的在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其中所进行的该金属蚀刻步骤暴露出该层间介电质的至少一部分。

6.如权利要求5所述的在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其中所进行的该金属蚀刻步骤使该金属膜堆叠的至少一部分与至少一导电插塞互相接触。

7.如权利要求1所述的在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其包括：

在抗反射涂布层上沉积一硬掩模层；

在该硬掩模层上形成一图案化光阻层；以及

进行一金属蚀刻步骤，以暴露出该层间介电质的至少一部分。

8.一种集成电路，具有多个金属膜堆叠，其特征在于各该金属膜堆叠包括：

一金属层，覆盖一层间介电质及多个导电插塞的至少一个，而该些导电插塞设置于该层间介电质中；以及

一抗反射层，覆盖该金属层。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于其还包括一硬掩模，覆盖该金属层。

10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于其中该些金属膜堆叠的电阻率小于0.5欧姆/平方。

11.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于其中该金属层的厚度大于500埃。

12.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于其中该金属层的厚度大于1000埃。

13.一种集成电路，具有多个金属结构，其特征在于各该金属结构包括：

多个导电插塞，藉由一介电层所分隔；

一导电层，直接设置在该些导电插塞及该介电层上，该导电层具有大于500埃的一厚度；以及

一抗反射层，覆盖该导电层。

14.如权利要求13所述的集成电路，其特征在于其还包括一硬掩模，覆盖该导电层。

15.如权利要求13所述的集成电路，其特征在于其中该导电层的该厚度大于1000埃。