[发明专利]一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺

说明书

技术领域

本发明涉及非晶/微晶叠层薄膜电池的PVD(Physical Vapor  Deposition，物理气相沉积)镀膜工艺，特别涉及一种提高非晶/微晶叠 层薄膜电池镀锡铜带焊接强度的工艺。

背景技术

目前，非晶/微晶薄膜电池板的背电极采用 TCO(transparentconductiveoxide，透明导电氧化物)加Ag(银)加Ni(镍) /V(钒)的金属膜层结构，这种结构只需一台PVD即可实现，镀膜过程中 也无需停顿，在Ni金属膜中掺V可以除氧，帮助Ni金属膜与镀锡铜带的 焊接，同时，Ni也是抗腐蚀性能优良的金属，可以有效的保护内部金属膜 层。

但该种方法，在用镀锡铜带在薄膜电池板的金属层上进行焊接时，发 现Ni/V层与镀锡铜带的焊接强度不够牢固，这是因为非晶/微晶叠层薄膜 电池采用PVD的方法镀电池板的背电极金属膜时，最后一层金属膜采用 Ni/V靶材，且膜层较薄，Ni/V膜虽然能有效的保护内部Ag膜层，但用镀 锡铜带采用点焊的方法对Ni/V金属膜层进行焊接时，焊点的剥离强度却 不够。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种新的能够提高 非晶/微晶叠层薄膜电池镀锡铜带焊接强度的工艺。

为了实现上述目的，本发明是这样实现的：

一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺流程为：

第一步：在PVD设备中，给经过激光划线的非晶/微晶叠层薄膜电池 表面镀上Ag膜层；

第二步：将正面镀过Ni膜的金属长方棒覆盖非晶/微晶叠层薄膜电 池两侧需要焊接镀锡铜带的区域，形成掩膜区；

第三步：再次将覆盖了金属长方棒的非晶/微晶叠层薄膜电池放入 PVD设备中镀Ni/V膜层，取出镀完Ni/V膜层非晶/微晶叠层薄膜电池，去 掉非晶/微晶叠层薄膜电池上的金属长方棒；

第四步：采用点焊的方法对非晶/微晶叠层薄膜电池上露出的Ag膜 区域焊接镀锡铜带。

本发明所述的一种掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺，其 特征在于，所述的金属长方棒的尺寸与需要焊镀锡铜带的位置的大小相一 致。

本发明所述的掩膜镀Ni/V层提高镀锡铜带的焊接强度的工艺的优点 在于：与常规PVD镀膜相比，使要焊镀锡铜带的位置上露出Ag金属膜， Ag金属导电性更好，高温下也不易形成氧化层，并且镀锡铜带的外表面涂 锡层中含有Ag成分，在助焊剂的帮助下，Ag金属膜更易与镀锡铜带焊接 牢固，而且导电性更优。

附图说明

图1非晶/微晶叠层薄膜电池覆盖金属长方棒的平面示意图。

具体实施方式

如图1所示，非晶/微晶叠层薄膜电池通过激光划线工艺划线后，在非 晶/微晶叠层薄膜电池两侧分别有一条绝缘线，两侧的绝缘线分别到靠近 内侧的第一条激光划线区域为金属长方棒掩膜区。

项目实施过程为：

第一步：在PVD设备中，给经过激光划线的非晶/微晶叠层薄膜电池表 面镀上Ag膜层；

第二步：将两根正面镀过Ni膜的金属长方棒分别覆盖在非晶/微晶 叠层薄膜电池被激光划线后形成的绝缘线与靠近内侧的第一条激光划线 区域，如图1所示的的金属长方棒掩膜区；

第三步：再次将覆盖了金属长方棒的非晶/微晶叠层薄膜电池放入 PVD设备中镀Ni/V膜层，取出镀完Ni/V膜层非晶/微晶叠层薄膜电池，去 掉非晶/微晶叠层薄膜电池上的金属长方棒；

第四步：采用点焊的方法对非晶/微晶叠层薄膜电池上露出的Ag膜 区域焊接镀锡铜带。