[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910207382.4 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101800399A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 藏本恭介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/16;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件，其特征在于具备：
半导体衬底；
半导体层叠结构，该半导体层叠结构具有在所述半导体衬底上依次形成的第一导电型的覆盖层、有源层、第二导电型的覆盖层、及第二导电型的接触层，并在顶面形成有条形波导区域，且在顶面与所述波导区域相离地形成有凹部；
第一导电型电极，与所述半导体衬底电连接；
第二导电型电极，与所述接触层电连接；
焊盘电极，形成在所述第二导电型电极上；以及
凹部内电极，隔着绝缘膜形成在所述凹部的内部。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述凹部内电极是所述第二导电型电极和所述焊盘电极中至少一个的一部分。
3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述凹部的平面形状为四边形，所述四边形的2边与谐振器端面平行，所述四边形的其它2边与谐振器方向平行。
4.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述凹部的平面形状为四边形，所述四边形的各边相对谐振器端面及谐振器方向倾斜。
5.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：
所述绝缘膜还形成在所述凹部外部的所述半导体层叠结构上的所述波导区域以外的区域，
所述绝缘膜与所述波导区域的间隔在没有所述凹部的区域中宽于具有所述凹部的区域中。
6.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述凹部形成在谐振器的前端面或后端面附近。
7.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述半导体衬底及所述半导体层叠结构由氮化物类III-V族化合物半导体构成。
8.一种制造权利要求1所述的半导体发光元件的方法，其特征在于：与所述第二导电型电极和所述焊盘电极中的至少一个同时形成所述凹部内电极。
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