[发明专利]低温共烧陶瓷基板的结构

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷基板，其特征在于，包括：

一基板，其包含堆叠的若干个陶瓷结构层并具有一第一表面；

一电路结构，其位于该基板内；

一通孔，其位于该第一表面并与该电路结构相连接；以及

一第一结构层，其位于该通孔中并与该电路结构相连接。

2.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层的材质为硬度大于维式硬度值100的导体。

3.如权利要求2所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层的材质为镍、铑、铂、钴、钯以及其彼此所形成的合金的其中之一。

4.如权利要求2所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层为单一金属、合金以及复合结构的金属层的其中之一。

5.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层还具有一第二表面，该第二表面的高度可超过，或低于，或相等于该第一表面的高度。

6.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的基板的厚度至少为1.5毫米以上。

7.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，还包含一第二结构层，其位于该通孔之上并与该第一结构层相连接。

8.如权利要求7所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第二结构层的材质为硬度大于维式硬度值100的导体。

9.如权利要求7所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第二结构层的材质为镍、铑、铂、钴、钯以及其彼此所形成的合金的其中之一。

10.如权利要求7所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第二结构层为单一金属、合金以及复合结构的金属层的其中之一。

11.如权利要求1或7所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层与第二结构层的材料为一后烧结制程导电胶。

12.如权利要求1或7所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的电路结构与第一结构层之间更包含一第一结合层。

13.如权利要求12所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结合层的材料为铜、镍、钴、金、铂、银及其彼此所组合而成的合金的其中之一。

14.如权利要求7所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层与第二结构层之间更包含一第二结合层。

15.如权利要求14所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第二结合层的材料为钛钨、铜、镍、铬及其彼此所组合而成的复合层的其中之一。

16.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的第一结构层的厚度至少为2微米以上。

17.一种低温共烧陶瓷基板，其特征在于，包括：

一基板，其包含堆叠的若干个陶瓷结构层并具有一第一表面；

一电路结构，其位于该基板内，其中该电路结构具有一电路接点，且该电路接点位于该第一表面之上；以及

一结构层，其覆盖在该电路接点上。

18.如权利要求17所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的结构层的材质为硬度大于维式硬度值100的导体。

19.如权利要求18所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的结构层的材质为镍、铑、铂、钴、钯以及其彼此所形成的合金的其中之一。

20.如权利要求18所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的结构层为单一金属、合金以及复合结构的金属层的其中之一。

21.如权利要求17所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的基板的厚度至少为1.5毫米以上。

22.如权利要求17所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的结构层的材料为一后烧结制程导电胶。

23.如权利要求17所述的低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述的结构层的厚度至少为1微米以上。