[发明专利]减少工艺套件上沉积薄膜剥离的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供一包括靶材的工艺腔室，其中该靶材具有一第一热膨胀系数；

选择一具有第二热膨胀系数的表面层的工艺配件，其中该第一热膨胀系 数与第二热膨胀系数之间的差异比率小于35％；以及

将该工艺配件设置于一工艺腔室中，其中该表面层暴露于该工艺腔室。

2.如权利要求1所述的方法，其中该工艺配件的该表面层与该靶材包 括相同的材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中该工艺配件包括一不锈钢层，邻接 并位于该表面层的下方。

4.一种方法，包括：

提供一包括基层的工艺配件；

使用等离子体喷镀在该工艺配件的基层上形成一表面层，其中该表面层 包括钛并具有一第一热膨胀系数；

将该工艺配件设置在一工艺腔室中；以及

在设置该工艺配件的步骤之后，于该工艺腔室中沉积一层膜于一晶片 上，其中该层膜包括氮化钛并具有接近该第一热膨胀系数的一第二热膨胀系 数，其中该第一热膨胀系数与该第二热膨胀系数具有小于35％的差异。

5.如权利要求4所述的方法，其中在每次设置该工艺配件在该工艺腔 室中，该表面层露出。

6.如权利要求4所述的方法，其中该表面层包括钽，且其中该层膜包 括氮化钽。

7.如权利要求4所述的方法，其中该表面层包括铝，且其中该层膜包 括铝铜。

8.如权利要求4所述的方法，其中该基层包括邻接该表面层的一不锈 钢层。

9.一种方法，包括：

提供一工艺配件的基层；

使用等离子体喷镀形成一表面层邻接并位于该工艺配件的基层的上方， 其中该表面层包括一材料，择自实质上由钛、钽及铝所构成的群组；以及

将该工艺配件设置于一工艺腔室中，其中该工艺腔室包括一靶材，包括 与该表面层相同的材料，并具有一第一热膨胀系数，相似于该表面层的一第 二热膨胀系数，其中该第一热膨胀系数与该第二热膨胀系数具有小于35％ 的差异。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

在设置该工艺配件的步骤之后，通过从该靶材溅射而在该工艺腔室中沉 积一层膜于一晶片上。

11.如权利要求10所述的方法，其中该表面层包括钛，且其中该层膜 包括氮化钛。

12.如权利要求10所述的方法，其中该表面层包括钽，且其中该层膜 包括氮化钽。

13.如权利要求10所述的方法，其中该表面层包括铝，且其中该层膜 包括铝铜。