[发明专利]分立栅存储器件的形成方法

权利要求书

1.一种分立栅存储器件的形成方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅介质层、第一多晶硅层、层间绝缘层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层具有第一厚度；

刻蚀所述第二多晶硅层和层间绝缘层，形成控制栅；

刻蚀所述第一多晶硅层至第二厚度，所述第一多晶硅层被层间绝缘层覆盖的部分具有第一厚度，而未被覆盖的部分具有第二厚度；

其特征在于，所述第二厚度范围为

2.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第二厚度范围为

3.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第二厚度范围为所述形成方法还包括对所述刻蚀后的第一多晶硅层进行热氧化工艺。

4.根据权利要求3所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述热氧化工艺的温度为800℃至900℃。

5.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，还包括在所述控制栅两侧形成侧墙；对位于侧墙外侧的第一多晶硅层进行刻蚀，至露出所述栅介质层，定义出源区；对所述源区进行离子注入；在所述侧墙的外侧、源区的上方依次形成隧穿绝缘层和擦除栅。

6.根据权利要求5所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述源区离子注入类型为磷或砷，注入剂量为2×10¹⁵/cm²至4×10¹⁵/cm²。

7.根据权利要求5所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述隧穿绝缘层的形成方法为低压化学气相淀积工艺。

8.根据权利要求5所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述隧穿绝缘层的厚度为

9.根据权利要求5所述的分立栅存储器件的形成方法，所述侧墙为氧化硅、氮化硅双层结构。

10.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一厚度为

11.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层为N型掺杂。

12.根据权利要求11所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的掺杂方法为离子注入，注入剂量为6×10¹⁴/cm²至5×10¹⁵/cm²。

13.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为

14.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述第二多晶硅层为N型掺杂。

15.根据权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，还包括在所述第二多晶硅层上形成介质层。

16.根据权利要求15所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅、氮化硅的叠层结构。