[发明专利]具有改进终端的IGBT有效
| 申请号： | 200910189824.7 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102005473A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 贾容本;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/12;H01L29/38;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改进 终端 igbt | ||
1.一种具有改进终端的IGBT，包括元胞区和环绕于所述元胞区的终端区，所述IGBT的背面具有IGBT集电极区，所述IGBT集电极区与第一导电类型的IGBT漂移区连接且位于所述IGBT漂移区的下面，所述IGBT集电极区包括元胞集电极区和终端集电极区，所述元胞集电极区具有第二导电类型半导体，其特征在于，所述终端集电极区具有第一导电类型半导体。
2.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述第一导电类型半导体为N型半导体。
3.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述第一导电类型半导体为P型半导体。
4.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述终端集电极区分成相互连接的两块区域，第一块区域为第一导电类型半导体，第二块区域为第二导电类型半导体，所述终端集电极区的第二块区域邻接于元胞集电极区。
5.如权利要求4所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述终端集电极区的第二块区域的长度等于IGBT漂移区的厚度。
6.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述终端集电极区的第一导电类型半导体的掺杂浓度与IGBT漂移区的掺杂浓度相同。
7.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述终端集电极区的第一导电类型半导体的掺杂浓度大于IGBT漂移区的掺杂浓度。
8.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，所述IGBT可以为平面栅IGBT，也可以是沟槽栅IGBT。
9.如权利要求1所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，还包括用于引出集电极的接触层，所述接触层邻接于所述IGBT集电极区之下，位于终端集电极区的第一导电类型半导体下面的接触层是氧化物层，其他的接触层为金属层。
10.如权利要求7所述的具有改进终端的IGBT，其特征在于，还包括用于引出集电极的接触层，所述接触层邻接于所述IGBT集电极区之下，所述接触层为金属层。
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