[发明专利]图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；

在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区；

在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区；

用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层；

在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件；以及

在所述光电二极管区中形成光电二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在与所述晶体管区相邻的区域中形成所述第一导电型离子注入区的步骤中，所述第一导电型离子注入区形成在所述栅电极的所述间隔件之下。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间形成所述第二导电型离子注入区的步骤中，所述第二导电型离子注入区形成在所述栅电极的沟道区和位于所述栅电极的所述间隔件之下的所述第一导电型离子注入区之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中用所述绝缘膜填充所述沟槽来形成所述隔离层的步骤包括：

在包括所述沟槽的所述半导体衬底的整个表面上沉积所述绝缘膜；以及

选择性蚀刻所述绝缘膜，并且通过CMP工艺来平坦化所述绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电型离子注入区是N-型离子注入区，所述第二导电型离子注入区是P-型离子注入区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述N-型离子注入区通过倾斜注入P⁺离子而形成。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述P-型离子注入区通过倾斜注入BF²⁺离子而形成。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中离子注入分四个阶段执行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二导电型离子注入区的深度大于所述第一导电型离子注入区的深度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光电二极管形成在所述第一导电型离子注入区之间。