[发明专利]被处理体的蚀刻方法有效
| 申请号： | 200910170537.1 | 申请日： | 2002-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101667536A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 布濑晓志;藤本究;山口智代 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳;刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 蚀刻 方法 | ||
1.一种被处理体的蚀刻方法，包括：
将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；
向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过 该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，
其特征在于：
提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH3F、O2和N2。
2.根据权利要求1所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体中(CH3F+O2)的流量/N2的流量的比例是2～12。
3.根据权利要求1或2所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 被处理体具有在SiC部分上设置的作为绝缘膜的SiO2膜， 将该SiO2膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiC部分。
4.根据权利要求1所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体还包括CF4。
5.根据权利要求1所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体还包括Ar。
6.一种被处理体的蚀刻方法，包括：
将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；
向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过 该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，
其特征在于：
提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2，
被处理体具有在SiC部分上设置的作为绝缘膜的SiO2膜，
将该SiO2膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiC部分。
7.根据权利要求6所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体还包括O2。
8.根据权利要求6或7所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体还包括Ar。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
